Společnost Hynix se zaměřila na nízkonapěťové paměti typu DDR2 s kapacitou 2 Gb. Ty přicházejí asi třičtvrtě roku po 1Gb čipech vyráběných 54nm technologií a jedná se o vůbec první 2Gb paměti označované jako Low Power DDR2 DRAM. Vyráběny jsou pomocí 40nm technologie, pracují na napětí 1,2 V a dosahují propustnosti 4,26 GB/s. Využití si pak mají najít v zařízeních, jako jsou smartphony, tablety nebo smartbooky, přičemž mají vstoupit do produkce ještě v této polovině roku. Zdroj: TCMagazine
Společnost Hynix se zaměřila na nízkonapěťové paměti typu DDR2 s kapacitou 2 Gb. Ty přicházejí asi třičtvrtě roku po 1Gb čipech vyráběných 54nm technologií a jedná se o vůbec první 2Gb paměti označované jako Low Power DDR2 DRAM.
Vyráběny jsou pomocí 40nm technologie, pracují na napětí 1,2 V a dosahují propustnosti 4,26 GB/s. Využití si pak mají najít v zařízeních, jako jsou smartphony, tablety nebo smartbooky, přičemž mají vstoupit do produkce ještě v této polovině roku.
Zdroj:
