IBM začne vyrábět první 3D čipy pro trh
5.12.2011, Jan Vítek, aktualita
Společnosti IBM a Micron Technology oznámily, že začnou produkovat nové 3D paměťové čipy s využitím výrobní technologie CMOS a s pomocí tzv. Through-Silicon Vias (TSV), tedy datových spojení mezi jednotlivými navrstvenými čipy. Výsledkem...
Společnosti IBM a Micron Technology oznámily, že začnou produkovat nové 3D paměťové čipy s využitím výrobní technologie CMOS a s pomocí tzv. Through-Silicon Vias (TSV), tedy datových spojení mezi jednotlivými navrstvenými čipy. Výsledkem budou 3D čipy Hybrid Memory Cube slibující i 15násobnou datovou propustnost v porovnání s dnešními technologiemi.
Myšlenka za HMC je tedy jednoduchá. Jedná se o na sebe navrstvené samostatné čipy DRAM, které jsou propojeny vertikálními spoji, což ve výsledku vytvoří trojrozměrnou strukturu. IBM se chystá prezentovat svůj průlom s využíváním TSV na akci IEEE International Electron Devices Meeting ve Washington DC, a to již tento den.
Čipy HMC budou vyráběny v továrně IBM, která je umístěna v East Fishkill (New York), a to s pomocí 32nm procesu high-K metal gate (HKMG). Prozatimní prototypy dosahují propustnosti 128 GB/s, což je přesně desetkrát více než moderní čipy DRAM. Navíc potřebují o 70 procent méně energie a samozřejmě mají též výhodu v úspoře místa.
Na trh se mají dostat různé produkty určené pro mnoho účelů, jako například síťová zařízení či vysoce výkonné počítačové systémy a nakonec se dočkáme i my, běžní zákazníci. Dle Subu Iyer z IBM se 3D čipy během několika let dostanou do běžných spotřebitelských produktů, což má přinést výrazné prodloužení výdrže na baterie a také zvýšení funkčnosti zařízení.
Zdroj: techPowerUp
Myšlenka za HMC je tedy jednoduchá. Jedná se o na sebe navrstvené samostatné čipy DRAM, které jsou propojeny vertikálními spoji, což ve výsledku vytvoří trojrozměrnou strukturu. IBM se chystá prezentovat svůj průlom s využíváním TSV na akci IEEE International Electron Devices Meeting ve Washington DC, a to již tento den.
Čipy HMC budou vyráběny v továrně IBM, která je umístěna v East Fishkill (New York), a to s pomocí 32nm procesu high-K metal gate (HKMG). Prozatimní prototypy dosahují propustnosti 128 GB/s, což je přesně desetkrát více než moderní čipy DRAM. Navíc potřebují o 70 procent méně energie a samozřejmě mají též výhodu v úspoře místa.
Na trh se mají dostat různé produkty určené pro mnoho účelů, jako například síťová zařízení či vysoce výkonné počítačové systémy a nakonec se dočkáme i my, běžní zákazníci. Dle Subu Iyer z IBM se 3D čipy během několika let dostanou do běžných spotřebitelských produktů, což má přinést výrazné prodloužení výdrže na baterie a také zvýšení funkčnosti zařízení.
Zdroj: techPowerUp
