Fujitsu uvádí novou 45nm technologii pro výrobu LSI čipů
19.6.2007, Milan Šurkala, aktualita
Nová 45nm technologie výroby LSI čipů přinese úspornější a výkonnější čipy. Oproti stávající technologii výroby snižuje úniky proudu při čekacích stavech na jednu pětinu původní hodnoty a snižují časové prodlení o 14%. Detaily byly uvolněny...
Nová 45nm technologie výroby LSI čipů přinese úspornější a výkonnější čipy. Oproti stávající technologii výroby snižuje úniky proudu při čekacích stavech na jednu pětinu původní hodnoty a snižují časové prodlení o 14%. Detaily byly uvolněny na 2007 Symposium on VLSI Technology.
Krátká vzdálenost mezi source a drain elektrodami zvyšuje spotřebu elektrické energie a úniky proudu, zejména ve stavu, kdy čip nic nedělá. V případě mobilních telefonů je to pohotovostní režim, kdy se s přístrojem aktivně nepracuje a vyčkává na případný příchozí hovor. Takové plýtvání energií je samozřejmě nežádoucí.
Inženýři problém řešili snížením šířky source a drain elektrod. To sice snižuje úniky proudu jak je patrno z obrázku, nicméně naopak zvyšuje odpor a tím zhoršuje výkon. K odstranění tohoto negativního jevu je použita technologie Millisecond Annealing (MSA). Zvýšením teploty se snižuje odpor a výkon se pak zlepší.
Dále se využívá křemene NCS (Nano-Clustering Silica), který má dielektrickou konstantu 2,25, doposud nejnižší v praxi použitá hodnotu. Tato nová technologie by se měla v praxi objevit v roce 2008, kdy by se touto technologií měly začít vyrábět první LSI čipy do mobilních telefonů.
Zdroj: www.dailytech.com, www.cdrinfo.com
Krátká vzdálenost mezi source a drain elektrodami zvyšuje spotřebu elektrické energie a úniky proudu, zejména ve stavu, kdy čip nic nedělá. V případě mobilních telefonů je to pohotovostní režim, kdy se s přístrojem aktivně nepracuje a vyčkává na případný příchozí hovor. Takové plýtvání energií je samozřejmě nežádoucí.
Inženýři problém řešili snížením šířky source a drain elektrod. To sice snižuje úniky proudu jak je patrno z obrázku, nicméně naopak zvyšuje odpor a tím zhoršuje výkon. K odstranění tohoto negativního jevu je použita technologie Millisecond Annealing (MSA). Zvýšením teploty se snižuje odpor a výkon se pak zlepší.
Dále se využívá křemene NCS (Nano-Clustering Silica), který má dielektrickou konstantu 2,25, doposud nejnižší v praxi použitá hodnotu. Tato nová technologie by se měla v praxi objevit v roce 2008, kdy by se touto technologií měly začít vyrábět první LSI čipy do mobilních telefonů.
Zdroj: www.dailytech.com, www.cdrinfo.com
