Extrémní ultrafialová litografie, neboli EUV lithography, se dle technologů Intelu vyvíjí příliš pomalu a za poslední rok nebyl uskutečněn výraznější krok kupředu. Mike Mayberry (Director of Components Research a Vice president of the Technology Manufacturing Group, Intel) řekl, že v podstatě má EUV tři problémy. Chybí vyhovující zdroje, masky bez defektů a chránidla před nežádoucími vlivy. Schéma EUV litografie A i když se pracovníci intenzivně snaží tyto problémy řešit, tyto stále přetrvávají, což brání dalšímu zmenšování na 32nm výrobní proces a méně. Roadmap litografie Intelu se tak musela již v únoru pozměnit, kdy Intel oznámil, že nová technologie bude připravena pro masovou výrobu do roku 2009. Teď situace vypadá tak, že se i pro 32nm využije 'ponořené litografie' (immersion lithography), kde se využívá pro vyplnění prostoru mezi optikou laserů a waferem vysoce čistá, deionizovaná voda. Zdroj: Electronic Engineering Times
Extrémní ultrafialová litografie, neboli EUV lithography, se dle technologů Intelu vyvíjí příliš pomalu a za poslední rok nebyl uskutečněn výraznější krok kupředu. Mike Mayberry (Director of Components Research a Vice president of the Technology Manufacturing Group, Intel) řekl, že v podstatě má EUV tři problémy. Chybí vyhovující zdroje, masky bez defektů a chránidla před nežádoucími vlivy.
Schéma EUV litografie
A i když se pracovníci intenzivně snaží tyto problémy řešit, tyto stále přetrvávají, což brání dalšímu zmenšování na 32nm výrobní proces a méně. Roadmap litografie Intelu se tak musela již v únoru pozměnit, kdy Intel oznámil, že nová technologie bude připravena pro masovou výrobu do roku 2009. Teď situace vypadá tak, že se i pro 32nm využije klasického DUV záření v rámci "immersion litography", kde se využívá pro vyplnění prostoru mezi optikou laserů a waferem vysoce čistá, deionizovaná voda.
Zdroj: Electronic Engineering Times
