Společnost Samsung Electronics oznámila, že se jí podařilo vůbec poprvé vytvořit paměťový čip typu DDR3 DRAM 30nm procesem. Kapacita čipu jsou 2 Gb, tedy 256 MB. Dle Samsungu dovolí 30nm technologie o 60 procent vyšší produktivitu v porovnání s 40nm a oproti 50 nm je produktivita dvojnásobná. Slibuje si od toho především upevnění své pozice na trhu, který je v oblasti paměťových čipů DRAM dnes velmi soutěživý. Nové paměťové produkty založené na 30nm procesu se objeví u konzumní elektroniky i v serverových systémech, kam přinesou o cca 30 procent nižší spotřebu oproti 50nm DRAM. Do masové produkce vstoupí v druhé polovině tohoto roku. Zdroj: TCM
Společnost Samsung Electronics oznámila, že se jí podařilo vůbec poprvé vytvořit paměťový čip typu DDR3 DRAM 30nm procesem. Kapacita čipu jsou 2 Gb, tedy 256 MB.
Dle Samsungu dovolí 30nm technologie o 60 procent vyšší produktivitu v porovnání s 40nm a oproti 50 nm je produktivita dvojnásobná. Slibuje si od toho především upevnění své pozice na trhu, který je v oblasti paměťových čipů DRAM dnes velmi soutěživý.
Nové paměťové produkty založené na 30nm procesu se objeví u konzumní elektroniky i v serverových systémech, kam přinesou o cca 30 procent nižší spotřebu oproti 50nm DRAM. Do masové produkce vstoupí v druhé polovině tohoto roku.
Zdroj:
