Toshiba vyvinula úsporné paměti STT-MRAM pro mobilní zařízení
10.12.2012, Jan Vítek, aktualita
Toshiba se pochlubila svými novými paměťmi, které dostaly označení STT-MRAM a slibují velmi příznivé vlastnosti ohledně spotřeby. STT-MRAM v tomto případě znamená Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory a takové paměti...
Toshiba se pochlubila svými novými paměťmi, které dostaly označení STT-MRAM a slibují velmi příznivé vlastnosti ohledně spotřeby. STT-MRAM v tomto případě znamená Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory a takové paměti by měly posloužit jako náhrada za SRAM - Static RAM.
Jejich největší výhodou je to, že nejsou nestálé, čili nepotřebují být napájeny, aby si udržely informaci. Díky tomu tak mají v pohotovostním režimu nulovou spotřebu, což je klíčem k překonání vlastností pamětí SRAM, které jsou nestálé (volatile). Toshiba však překonala hlavní nevýhodu MRAM, jejichž spotřeba v aktivním režimu byla výrazně vyšší v porovnání s SRAM. Dokázala tuto spotřebu snížit o 90 procent a umí takové paměti vyrobit pomocí 30nm i pokročilejšího procesu s využitím jistých magnetických materiálů.
Prozatím firma provedla simulace běhu mobilního procesoru vybaveného STT-MRAM na místě paměti cache a dle svého tvrzení zaznamenala dvoutřetinový pokles spotřeby při vykonávání "standardních" operací. Toshiba tak chce začít své nové paměti prosazovat v oblasti chytrých telefonů a tabletů.
Začne již zítra a pozítří na International Electron Device Meeting v San Francisku, kde budou prezentovány tři studie včetně výsledků projektu Normally-off Computing financovaného japonskou NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).
Zdroj: TZ Toshiba
Jejich největší výhodou je to, že nejsou nestálé, čili nepotřebují být napájeny, aby si udržely informaci. Díky tomu tak mají v pohotovostním režimu nulovou spotřebu, což je klíčem k překonání vlastností pamětí SRAM, které jsou nestálé (volatile). Toshiba však překonala hlavní nevýhodu MRAM, jejichž spotřeba v aktivním režimu byla výrazně vyšší v porovnání s SRAM. Dokázala tuto spotřebu snížit o 90 procent a umí takové paměti vyrobit pomocí 30nm i pokročilejšího procesu s využitím jistých magnetických materiálů.
Prozatím firma provedla simulace běhu mobilního procesoru vybaveného STT-MRAM na místě paměti cache a dle svého tvrzení zaznamenala dvoutřetinový pokles spotřeby při vykonávání "standardních" operací. Toshiba tak chce začít své nové paměti prosazovat v oblasti chytrých telefonů a tabletů.
Začne již zítra a pozítří na International Electron Device Meeting v San Francisku, kde budou prezentovány tři studie včetně výsledků projektu Normally-off Computing financovaného japonskou NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).
Zdroj: TZ Toshiba
