Walton Chaintech Corporation uvedla další nový DDR3 paměťový kit, nyní v kapacitě 4 GB (2 x 2 GB). Jedná se o paměti DDR3-1800 (PC3-16000) ze série Apogee GT Blazer s nízkým napětím. To činí 1,8 V, což je sice možná méně než u konkurenčních modulů, jak uvádí Chaintech, avšak stále mnoho; vždyť 1,8 V je napětí modulů DDR2-800. Není tedy divu, že jsou paměti kromě malých plechových pasivů (které slouží spíše pro rozvod tepla) vybaveny i velkým žebrovaným chladičem; podobným se kdysi chladily mikroprocesory Pentium II. Moduly jsou vyrobeny z osmivrstevného PCB, na kterém je připájeno šestnáct FBGA čipů Samsung v konfiguraci 128Mx8. Ty pracují při časování 8-8-8-24 a mají dosáhnout teoretické propustnosti 28,8 GB/s. Zdroj: VR-Zone
Walton Chaintech Corporation uvedla další nový DDR3 paměťový kit, nyní v kapacitě 4 GB (2 x 2 GB). Jedná se o paměti DDR3-1800 (PC3-16000) ze série Apogee GT Blazer s nízkým napětím. To činí 1,8 V, což je sice možná méně než u konkurenčních modulů, jak uvádí Chaintech, avšak stále mnoho; vždyť 1,8 V je napětí modulů DDR2-800.
Není tedy divu, že jsou paměti kromě malých plechových pasivů (které slouží spíše pro rozvod tepla) vybaveny i velkým žebrovaným chladičem; podobným se kdysi chladily mikroprocesory Pentium II. Moduly jsou vyrobeny z osmivrstevného PCB, na kterém je připájeno šestnáct FBGA čipů Samsung v konfiguraci 128Mx8. Ty pracují při časování 8-8-8-24 a mají dosáhnout teoretické propustnosti 28,8 GB/s.
Zdroj:
