Společnosti AMD, IBM a Toshiba stvořily nejmenší paměťovou buňku SRAM
22.12.2008, Jan Vítek, aktualita
Společnosti AMD, IBM a Toshiba nedávny vyvinuly světově nejmenší funkční paměťovou buňku SRAM (Static random access memory), s čímž se samozřejmě náležitě pochlubily. Buňka byla vyrobena pomocí 22nm technologie, zabírá prostor o velikosti...
Společnosti AMD, IBM a Toshiba nedávny vyvinuly světově nejmenší funkční paměťovou buňku SRAM (Static random access memory), s čímž se samozřejmě náležitě pochlubily. Buňka byla vyrobena pomocí 22nm technologie, zabírá prostor o velikosti pouze 0,128 um2 a využívá tranzistory typu FinFET (fin-shaped Field Effect Transistor). Pro porovnání, Intel a jeho 32nm SRAM buňky zabírají prostor 0,171 um2.
Nové SRAM buňky využívají materiál HKMG (high-k / metal gate) a šetří prostor díky využití vertikálních tranzistorů FinFET namísto konvenčních tranzistorů s rovinným hradlem. Výzkumníci rovněž úspěšně simulovali využití tranzistorů FinFET pro buňky SRAM zabírající prostor 0,063 um2 a dle výsledků by tyto tranzistory měly nabídnout daleko stabilnější provoz než rovinné FET díky tomu, že umožní průchod většího množství proudu, čímž se mají zlepšit přepínací schopnosti.
Nová technologie je tak zúčastněnými firmami viděna jako výrazný krok dopředu pro využití ve výrobě pomocí 22nm i pokročilejšího procesu.
Zdroj: X-bit labs
Nové SRAM buňky využívají materiál HKMG (high-k / metal gate) a šetří prostor díky využití vertikálních tranzistorů FinFET namísto konvenčních tranzistorů s rovinným hradlem. Výzkumníci rovněž úspěšně simulovali využití tranzistorů FinFET pro buňky SRAM zabírající prostor 0,063 um2 a dle výsledků by tyto tranzistory měly nabídnout daleko stabilnější provoz než rovinné FET díky tomu, že umožní průchod většího množství proudu, čímž se mají zlepšit přepínací schopnosti.
Nová technologie je tak zúčastněnými firmami viděna jako výrazný krok dopředu pro využití ve výrobě pomocí 22nm i pokročilejšího procesu.
Zdroj: X-bit labs
