Intel má revoluční a výkonné 3D tranzistory
4.5.2011, Jan Vítek, technologie
Společnost Intel si na tento den přichystala velké překvapení, s nímž do této doby dělala velké tajnosti a před chvílí okolo něj sehrála celé představení. Jedná se o nové typy tranzistorů, které firma nazvala 3-D Tri-Gate tranzistory vyráběné 22nm procesem.
Ty mají nahradit dnes používané tzv. Planar (rovinné) tranzistory a pokud máte představu o tom, co znamenají písmena 3D, máte napůl vyhráno. 
Dosavadní tranzistory měly kanály vedoucí elektrický proud skrz bránu, která ovládala jeho tok, pouze ploché (na obrázcích označeno jako "Source").
3-D Tri-Gate tranzistory mají tyto kanály naopak ne pouze dvojrozměrné, ale trojrozměrné, čímž se velmi podstatně zlepší jejich vlastnosti ohledně ztrát energie (asi o 50 procent nižší ztráty) a rychlosti přepínání, které je oproti klasickým tranzistorům výrazně rychlejší a navíc se rozdíl dále zvyšuje se snižujícím se napětím.
Především to také umožní další zmenšování čipů, aby se mohlo pokračovat v "plnění plánu" zvaného Mooreův zákon. V plánu už jsou 14nm a potažmo 10nm čipy.
Intel také již přímo na probíhající prezentaci představil celý 300mm wafer vyrobený 22nm technologií a plný tranzistorů 3-D Tri-Gate. Ty se na něm dají také seskupovat, aby se mohlo docílit vyššího průtoku proudu.
- klikněte pro zvětšení -
Další pokroky ve výrobní technologii mají s sebou tedy přinést komplexnější a výkonnější čipy, které budou mít díky 3D tranzistorům velmi vysokou energetickou účinnost, že by měly konkurovat i procesorům ARM, pak vyšší výkon. Intel již chystá přestavby továren D1D a D1C v Oregonu, Fab 32 a Fab 12 v Arizoně a Fab 29 v Izraeli. To by mělo být hotovo v tomto či příštím roce.
3-D Tri-Gate má přinést pouze o 2 až 3 procenta vyšší náklady na jeden wafer, což je vzhledem k proklamovaným výhodám této technologie zanedbatelné. Očekávat také můžeme její použití v celé škále procesorů produkovaných firmou Intel, jak ukazuje obrázek výše. Vyrábět se s její pomocí budou procesory Ivy Bridge i nové generace Atomů a Intel má slušně našlápnuto k tomu, aby svému rivalovi, firmě AMD, ještě více utekl.
Celou prezentaci si můžete stáhnout na stránkách Intelu (viz zdroj).
Zdroj: TZ Intel
3-D Tri-Gate tranzistory mají tyto kanály naopak ne pouze dvojrozměrné, ale trojrozměrné, čímž se velmi podstatně zlepší jejich vlastnosti ohledně ztrát energie (asi o 50 procent nižší ztráty) a rychlosti přepínání, které je oproti klasickým tranzistorům výrazně rychlejší a navíc se rozdíl dále zvyšuje se snižujícím se napětím.
Především to také umožní další zmenšování čipů, aby se mohlo pokračovat v "plnění plánu" zvaného Mooreův zákon. V plánu už jsou 14nm a potažmo 10nm čipy.
Intel také již přímo na probíhající prezentaci představil celý 300mm wafer vyrobený 22nm technologií a plný tranzistorů 3-D Tri-Gate. Ty se na něm dají také seskupovat, aby se mohlo docílit vyššího průtoku proudu.
- klikněte pro zvětšení -
Další pokroky ve výrobní technologii mají s sebou tedy přinést komplexnější a výkonnější čipy, které budou mít díky 3D tranzistorům velmi vysokou energetickou účinnost, že by měly konkurovat i procesorům ARM, pak vyšší výkon. Intel již chystá přestavby továren D1D a D1C v Oregonu, Fab 32 a Fab 12 v Arizoně a Fab 29 v Izraeli. To by mělo být hotovo v tomto či příštím roce.
3-D Tri-Gate má přinést pouze o 2 až 3 procenta vyšší náklady na jeden wafer, což je vzhledem k proklamovaným výhodám této technologie zanedbatelné. Očekávat také můžeme její použití v celé škále procesorů produkovaných firmou Intel, jak ukazuje obrázek výše. Vyrábět se s její pomocí budou procesory Ivy Bridge i nové generace Atomů a Intel má slušně našlápnuto k tomu, aby svému rivalovi, firmě AMD, ještě více utekl.
Celou prezentaci si můžete stáhnout na stránkách Intelu (viz zdroj).
Zdroj: TZ Intel
.webp)
