Společnost Toshiba upevňuje silné postavení v oblasti vývoje a výroby výkonných flash pamětí NAND s vysokou hustotou. Koncem ledna ohlásila uvedení 16Gb a 8Gb flash pamětí NAND vyrobených pomocí nejnovější 56nm technologie. Na vývoji společnost spolupracovala se společností SanDisk. Nyní Toshiba postupuje od omezené výroby konstrukčních vzorků a zvyšuje objem dodávek komerčních vzorků jednočipových NAND flash pamětí s hustotou 8Gb (1GB) a technologií MLC (multi-level cell). Zároveň se připravuje na zahájení dodávek 16Gb (2GB) NAND flash pamětí. Díky aplikaci 56 nm výrobní technologie je možné dosáhnout čipu s dvojnásobnou hustotou paměti a rychlostí zápisu 10 MB/s, čili dvojnásobek než u současných produktů společnosti Toshiba s technologií MLC. Nezanedbatelným faktem je také snížení výrobních nákladů. Balení nových pamětí je pak 48-pinové TSOP Type I a rozměry 12 x 20 x 1,2 mm. Přístupové doby jsou 50 mikrosekund první přístup a 30 nanosekund sériový přístup, napájení je pak
Společnost Toshiba upevňuje silné postavení v oblasti vývoje a výroby výkonných flash pamětí NAND s vysokou hustotou. Koncem ledna ohlásila uvedení 16Gb a 8Gb flash pamětí NAND vyrobených pomocí nejnovější 56nm technologie. Na vývoji společnost spolupracovala se společností SanDisk. Nyní Toshiba postupuje od omezené výroby konstrukčních vzorků a zvyšuje objem dodávek komerčních vzorků jednočipových NAND flash pamětí s hustotou 8Gb (1GB) a technologií MLC (multi-level cell).
Zároveň se připravuje na zahájení dodávek 16Gb (2GB) NAND flash pamětí. Díky aplikaci 56 nm výrobní technologie je možné dosáhnout čipu s dvojnásobnou hustotou paměti a rychlostí zápisu 10 MB/s, čili dvojnásobek než u současných produktů společnosti Toshiba s technologií MLC. Nezanedbatelným faktem je také snížení výrobních nákladů. Balení nových pamětí je pak 48-pinové TSOP Type I a rozměry 12 x 20 x 1,2 mm. Přístupové doby jsou 50 mikrosekund první přístup a 30 nanosekund sériový přístup, napájení je pak 2,7 až 3,6 V.
Zdroj:
