reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Intel představil 10nm technologii a slibuje 2,7násobnou hustotu tranzistorů

31.3.2017, Jan Vítek, aktualita
Intel představil 10nm technologii a slibuje 2,7násobnou hustotu tranzistorů
Intel se rozpovídal o své 10nm technologii, o níž tvrdí, že je o celou generaci napřed v porovnání s konkurenčními výrobními procesy. Prezentoval ji na svém Technology and Manufacturing Day v San Francisku, kde byly ukázány i zajímavé obrázky.
Technology and Manufacturing Day byl o technologiích Intelu a určen byl analytikům, investorům a světovým médiím. To včetně videa nazvaného Leading at the Edge, které si můžete také prohlédnout.


Máme tu ale také řadu zajímavých materiálů a srovnání, které srovnávají intelovské a konkureční výrobní procesy, na nichž chtěla firma ukázat, jaké jsou rozdíly a že to její je prostě nejlepší. Takže co tu máme?






Intel operuje především s tím, že není 10 nm jako 10 nm. Jde mu především o srovnání velikosti jednotlivých prvků, jako jsou brány tranzistorů, a také o škálování velikosti těchto prvků. Srovnává také vlastní 14nm a 10nm technologii, z čehož je vidět, že se měly zmenšit všechny prvky a výsledkem má být obočí pozdvižující 2,7násobně vyšší hustota tranzistorů na stejném prostoru.





Intel tak tvrdí, že Mooreův zákon stále žije, a to i s ohledem na pokračující snižující se cenu tranzistorů. Co se týče přímého srovnání 14nm a 10nm technologie, Intel slibuje o 25 procent vyšší výkon při spotřebě nižší o 45 procent. Vedle toho má mít v rukávu také ještě lepší proces označovaný jako 10nm++, který má výkon ještě dále zvýšit o 15 procent a spotřebu snížit o 30 procent. Pokud je to tak, pak jsme skutečně zvědaví na to, co předvedou první 10nm procesory této firmy a velice zajímavě vypadá především 2,7násobná hustota tranzistorů.





Za to vše může nová technologie, kterou Intel označuje jako Hyper Scaling a ta se skládá ze dvou částí, a sice COAG (Contact Over Active Gate) a SingleDG (Single Dummy Gate). Díky COAG je vytvořen kontakt tranzistorové brány přímo na ní, kdežto před tím byl vedle ní, což šetří prostor. SingleDG představuje bránu, která není součástí tranzistoru a nachází se na okraji logické buňky, kterou izoluje od druhé. Nově se využívá jen jedna taková brána (tzv. dummy gate) namísto dvou, což opět výrazně šetří místem.





Intel plánuje využívat svou 10nm technologii po dobu tří let, než bude připravena 7nm, ale s tím nemůžeme automaticky počítat a spíše lze usuzovat, že nastane nějaké zdržení. Stacy Smith k tomu na svém blogu napsala, že v Intelu vždy hledí na tři generace dopředu, čili sedm až devět let a Mooreův zákon v tomto časovém horizontu rozhodně nemá přestat platit. To je zajímavý výrok vzhledem k tomu, že před několika lety se říkalo, že přední firmy v tomto oboru si už tak dalekou budoucností přestávají být jisty.





Zdroj: Hexus.net
reklama