Micron a Sun se spojují ve snaze prodloužit životnost pamětí NAND Flash
19.12.2008, Jan Vítek, aktualita
Jedním z problémů pamětí NAND Flash dneška je omezený počet zapisovacích cyklů, což se řeší například systémem "wear levelling", tedy rovnoměrným využitím všech dostupných buněk. Společnosti Sun Microsystems a Micron Technology však nyní...
Jedním z problémů pamětí NAND Flash dneška je omezený počet zapisovacích cyklů, což se řeší například systémem "wear levelling", tedy rovnoměrným využitím všech dostupných buněk. Společnosti Sun Microsystems a Micron Technology však nyní spojují síly, aby zvýšily životnost SLC (Single-Level Cell) buněk u NAND Flash pamětí.
To prozatím vyústilo v buňky schopné dosáhnout celkem jednoho miliónu zapisovacích cyklů, což je zatím nejvíc ze všech typů NAND Flash. Micron prozatím produkuje vzorky těchto paměťových čipů s kapacitou 32 Gb, přičemž výroba ve velkém je plánována již na první kvartál příštího roku.
A kromě toho se brzy v příštím roce představí také nové SLC i MLC NAND Flash vyráběné Micronem pomocí 34nm procesu.
Zdroj: TZ Micron
To prozatím vyústilo v buňky schopné dosáhnout celkem jednoho miliónu zapisovacích cyklů, což je zatím nejvíc ze všech typů NAND Flash. Micron prozatím produkuje vzorky těchto paměťových čipů s kapacitou 32 Gb, přičemž výroba ve velkém je plánována již na první kvartál příštího roku.
A kromě toho se brzy v příštím roce představí také nové SLC i MLC NAND Flash vyráběné Micronem pomocí 34nm procesu.
Zdroj: TZ Micron
