Micron začal dodávat své první "paměti v kostce"
26.9.2013, Jan Vítek, aktualita
Již v roce 2011 jsme se dozvěděli o nových typech počítačových pamětí Hybrid Memory Cube (HMC), které chtěl vyvíjet Micron společně s firmou Samsung. Nyní je to právě Micron, jenž svým partnerům začal rozesílat vzorky nových 2GB pamětí,...
Již v roce 2011 jsme se dozvěděli o nových typech počítačových pamětí Hybrid Memory Cube (HMC), které chtěl vyvíjet Micron společně s firmou Samsung. Nyní je to právě Micron, jenž svým partnerům začal rozesílat vzorky nových 2GB pamětí, jež označil za průlomové.
HMC má oslovit ty firmy, které hledají paměti s vyšší propustností, hustotou dat a energetickou efektivitou, tedy v podstatě všechny stojící o inovace. Myšlenka stojící za vytvořením pamětí HMC je poměrně prostá. Jedná se o navrstvené paměťové čipy spojené vertikálně pomocí množství tzv. Through-Silicon Via (TSV) - vertikálně vedených spojů.
Vzorky nových pamětí se tak skládají ze čtyř 4Gb čipů DRAM spojených do jednoho pouzdra s kapacitou 2 GB. V porovnání s tradičním řešením s čipy na desce vedle sebe se má takto ušetřit 70% energie a přitom Micron slibuje propustnost 160 GB/s. Snadnější má být také implementace těchto pamětí a jejich základních funkcí, přičemž ony samy se mají postarat také o ECC.
Micron předpokládá, že brzy v příštím roce bude mít také 4GB vzorky a později je začne společně s 2GB paměťmi vyrábět ve velkém. Nejdříve se mají nasadit spíše v profesionálních řešeních, která vyžadují vysoký výkon, ale později, dle Micronu za 3 až 5 let, se mají objevit také ve spotřebním hardwaru.
Zdroj: TZ Micron
HMC má oslovit ty firmy, které hledají paměti s vyšší propustností, hustotou dat a energetickou efektivitou, tedy v podstatě všechny stojící o inovace. Myšlenka stojící za vytvořením pamětí HMC je poměrně prostá. Jedná se o navrstvené paměťové čipy spojené vertikálně pomocí množství tzv. Through-Silicon Via (TSV) - vertikálně vedených spojů.
Vzorky nových pamětí se tak skládají ze čtyř 4Gb čipů DRAM spojených do jednoho pouzdra s kapacitou 2 GB. V porovnání s tradičním řešením s čipy na desce vedle sebe se má takto ušetřit 70% energie a přitom Micron slibuje propustnost 160 GB/s. Snadnější má být také implementace těchto pamětí a jejich základních funkcí, přičemž ony samy se mají postarat také o ECC.
Micron předpokládá, že brzy v příštím roce bude mít také 4GB vzorky a později je začne společně s 2GB paměťmi vyrábět ve velkém. Nejdříve se mají nasadit spíše v profesionálních řešeních, která vyžadují vysoký výkon, ale později, dle Micronu za 3 až 5 let, se mají objevit také ve spotřebním hardwaru.
Zdroj: TZ Micron
