Po DDR a Rambus přicházejí paměti RLDRAM?!?
31.5.2001, Petr Klabazňa, článek
Můžeme se těšit na novou ještě výkonnější technologii v oblasti pamětí? Předčí nové RLDRAM i vysokou propustnost pamětí Rambus? A nebo jsou RLDRAM jen šikovně nafouknutou mediální bublinou?
Infineon (Infineon Technologies AG) a Micron (Micron Technology Inc.) jsou na počátku vzájemné spolupráce na vývoji nových DRAM pamětí s redukovanou latencí. Oba výrobci (není je třeba nikterak zvlášť představovat) jsou dostatečně známí z produkce počítačových pamětí a na trhu mají v této oblasti svůj nezanedbatelný podíl.
Vývoj tentokráte ani tak nesměřuje k supernovým technologiím a změnám dosavadních materiálů, ale půjde spíše cestou kvalitativního vylepšení. Nová série DRAM pamětí s redukovanou latencí by měla směřovat do oblasti high-performance paměťových aplikací (switche, routery a obdobné high-bandwidth systémy).
Tyto paměti, nazvěme je RLDRAM, budou zpočátku pracovat s datovými přenosy 600 Mb/s na jeden pin. Snížení hodnoty latency (z hlediska funkce jde o vložení čekacích stavů) znamená u pamětí jejich vyšší vytížení. Na druhou stranu je kladen vyšší důraz na kvalitu čipů samotných, aby byly vůbec schopny v takto zkráceném časovém úseku data zpracovat. A právě zde přichází na řadu unikátní interní paměťová architektura, kterou Infineon a Micron v pamětech RLDRAM hodlají využívat. Ta spočívá v "ultra-fast" (ultra rychlém) náhodném přístupu.
Společný vývoj (firem Infineon a Micron) zaručí RLDRAM pamětem vývodovou a funkční kompatibilitu (tedy, že nebude existovat více vzájemně rozdílných – nezaměnitelných/nekompatibilních - broučků se stejnou funkcí). Jakkoli hodnotit RLDRAM je ještě příliš brzy, nicméně jsou potenciálními konkurenty především cenově pro splnění následujících požadavků: high-bandwidth a low-latency pro následující generaci vysokorychlostních datových přenosů.
Zdroj SBN
Vývoj tentokráte ani tak nesměřuje k supernovým technologiím a změnám dosavadních materiálů, ale půjde spíše cestou kvalitativního vylepšení. Nová série DRAM pamětí s redukovanou latencí by měla směřovat do oblasti high-performance paměťových aplikací (switche, routery a obdobné high-bandwidth systémy).
Tyto paměti, nazvěme je RLDRAM, budou zpočátku pracovat s datovými přenosy 600 Mb/s na jeden pin. Snížení hodnoty latency (z hlediska funkce jde o vložení čekacích stavů) znamená u pamětí jejich vyšší vytížení. Na druhou stranu je kladen vyšší důraz na kvalitu čipů samotných, aby byly vůbec schopny v takto zkráceném časovém úseku data zpracovat. A právě zde přichází na řadu unikátní interní paměťová architektura, kterou Infineon a Micron v pamětech RLDRAM hodlají využívat. Ta spočívá v "ultra-fast" (ultra rychlém) náhodném přístupu.
Společný vývoj (firem Infineon a Micron) zaručí RLDRAM pamětem vývodovou a funkční kompatibilitu (tedy, že nebude existovat více vzájemně rozdílných – nezaměnitelných/nekompatibilních - broučků se stejnou funkcí). Jakkoli hodnotit RLDRAM je ještě příliš brzy, nicméně jsou potenciálními konkurenty především cenově pro splnění následujících požadavků: high-bandwidth a low-latency pro následující generaci vysokorychlostních datových přenosů.
Zdroj SBN
