Rambus posunul rozhraní pro HBM2E ke 4 Gb/s na pin

Rambus se zrovna letos v březnu přihlásil s kontrolerem pro paměti HBM2E s propustností až 3,2 Gb/s, což nyní posouvá díky nové verzi až na 4 Gb/s. Takové paměti ale zatím neexistují, takže nyní může Rambus využít přinejlepším 3,6Gb/s paměti. V tiskové zprávě se mluví o pamětech od SK Hynix, které s novým kontrolerem a PHY nabídnou v rámci jednoho pouzdra propustnost 460 GB/s.

 

Taková propustnost by mimochodem bohatě stačila i pro dnešní novinku v podobě karty GeForce RTX 3070, která se svými GDDR6 dosahuje 448 GB/s. A pokud by se použila dvě pouzdra 3,6Gb/s pamětí HBM2, získali bychom 920 GB/s, což se téměř vyrovná paměťovému systému na GeForce RTX 3090 (936 GB/s). 

 

 

Nicméně to vypadá, že paměti typu HBM, i když se už dostaly mezi běžné grafické karty jako Vega 64 či nejnověji Radeon VII, z nabídky v rámci herních karet na nějakou dobu zase zmizí. Nové Radeony generace Navi 2X mají využít paměti GDDR6 či přinejlepším GDDR6X, to se ještě uvidí. Ostatně i Rambus ve své zprávě mluví o tom, že jde o paměti pro hardware určený pro umělou inteligenci a strojové učení, čili akcelerátory. Na druhou stranu by se stejně dalo předpokládat, že ty nejlepší dostupné paměti typu HBM by se stejně do herních karet nedostaly. 

 

 

Nové rozhraní firmy Rambus tak umožní nárůst propustnosti jednoho pouzdra HBM2E (nebo příští verze tohoto typu paměti) na 512 GB/s. V běžném počtu čtyř pouzder to tak jsou rovné 2 TB/s a pokud společnost TSMC dodrží svůj plán a umožní v roce 2023 tvořit interposery pro až 12 pouzder pamětí HBM, znamenalo by to dokonce 6 TB/s. V té době ale jistě budou k dispozici ještě rychlejší paměti s vyšší propustností na pin.

 

Rambus přitom využil pro validaci svého řešení právě technologií firmy TSMC, a to konkrétně její 7nm proces a technologii CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), která je založena na interposerech a 2,5D pouzdření.

 

Zdroj: TZ Rambus via TechPowerUp