Rambus vyvinul subsystém pro HBM3 s až 8,4 Gb/s

Samotný Rambus mluví o pokroku pro systémy umělé inteligence a strojového učení v HPC systémech, ale především proto, že nové a vysoce výkonné paměti typu HBM se využijí právě především v hardwaru pro AI/ML, který bude jistě čítat i budoucí grafické čipy či akcelerátory vycházející z GPU. 

 

 

Daný paměťový subsystém vyvinutý firmou Rambus sestává z plně integrovatelného PHY a kontroleru, čili samotné HBM3 DRAM už vyvine někdo jiný a konkrétně pak přinejmenším jedna z firem Samsung, SK Hynix či Micron. 

 

Rambus přitom už dříve posunul hranice dnešních HBM2 či spíše HBM2E ke 4 Gb/s na pin, ovšem my víme pouze o reálných pamětech se 3,6 Gb/s na pin. Ovšem to, že subsystém pro HBM3 podporuje až 8,4 Gb/s na pin, neznamená, že takové skutečně přijdou na trh. 

Kdyby ale 8,4Gb/s HBM3 skutečně dorazily, pak by jedno jediné 1024bitové pouzdro dokázalo zajistit propustnost 1075 GB/s, která by se s dalšími pouzdry rozšiřujícími celkovou šířku rozhraní dále násobila. Proto tak Rambus mluví o propustnosti v řádu terabajtů. 

 

Dále se od Rambusu dozvídáme, že celá implementace má být jednodušší, aby umožnila rychlejší vývoj výsledných produktů, kontroler také zahrnuje hardwarový systém pro monitorování výkonu, nabízená licence čítá také referenční design pro 2,5D pouzdro včetně potřebného interposeru a pracuje se tu ve vývojovém prostředí LabStation. 

 

Nás by ale spíše zajímalo to, kdy by se asi tak mohly dostat na trh první produkty s HBM3. Brzy to pochopitelně nebude vzhledem k tomu, že i HBM2E ještě mají co nabídnout z hlediska zvyšování paměťové propustnosti hardwaru a pokud jde o paměti HBM3, SK Hynix letos v červnu hlásil, že jsou stále vyvíjeny, a to zatím ve verzi s 5,2 Gb/s. I to ale představuje slušnou propustnost 666 GB/s na 1024 bitů.