Samsung chystá 176vrstvé V-NAND a SSD s PCIe 5.0
10.6.2021, Milan Šurkala, aktualita
Samsung vyvíjí nové generace V-NAND pamětí a tu té sedmé se můžeme těšit na 176vrstvé modely. Do budoucna se počítá i s mnohem větším počtem a Samsung se nechce zastavit na trojciferných číslech.
Samsung na svém blogu pohovořil o budoucnosti V-NAND pamětí a SSD. Zmínil trochu historie, kdy v roce 2013 přišel s prvními V-NAND pamětmi. Ty měly tehdy 24 vrstev a od té doby se hodně změnilo. Nyní se pomalu blíží 7. generace V-NAND a s ní 176vrstvé čipy. Uvedeny mají být v druhé polovině tohoto roku a počítá se s tím, že se objeví v SSD s PCIe Gen4 a později i PCIe Gen5 rozhraním. Maximální přenosová rychlost se zvýší na 2,0 Gb/s na pin.
Plánuje se nasazení 7. generace i v datových centrech, kde přijde vhod o 16 % nižší spotřeba. Zároveň má už hotové funkční prototypy 8. generace s více než 200 vrstvami a předpokládá se, že by se mohl v budoucnu v některé z dalších generací dostat až přes 1000 vrstev. Zde ale vůbec netušíme, kdy se něco takového objeví, a zda se podaří úspěšně se poprat s výškovým limitem.
Zdroj: news.samsung.com
.webp)
