Specifikace pamětí RLDRAM II
15.5.2003, David Vrtal, článek
Byla oznámena nová specifikace pamětí nazvaná RLDRAM II, použitelná především v aplikacích vyžadujících rychlý přímý přístup a vysokou datovou propustností. Na specifikaci se spolupodílejí společnosti Micron Technology Inc. a Infineon Technologies AG.
Byla oznámena nová specifikace pamětí DRAM II nazvaná RLDRAM II použitelná v aplikacích pro komunikaci a ukládání dat, u kterých je vyžadován rychlý přímý přístup s vysokou propustností a hustotou dat. Na jejím uvedení se spolupodílejí firmy Micron Technology Inc. a Infineon Technologies AG. Paměti jsou navrhovány pro maximální frekvenci 400 MHz v osmi bankovém provedení. Při použití 36-bitového rozhraní a frekvence systémových hodin 400 MHz lze dosáhnout hustoty datového toku až 28.8 Gbit/s. RLDRAM II nabízejí krátkou latenci a dobu trvání náhodných cyklů 20 ns, čímž dochází ke zvýšení datové propustnosti.
Deb Matus, marketingový manažer produktů DRAM pro oblast sítí a komunikací společnosti Micron sídlící v Borstu v Idaho, prohlásil, že nová paměťová specifikace je výborným řešením pro systémy vysokorychlostního Ethernetu a pro následující generace síťových systémů, jež jsou navrhovány pro dosažení datových toků od 10 do 40 Gbit/s.
Ernst Strasser, marketingový ředitel pro oblast DRAM produktů u mnichovské společnosti Infineon Technologies dodal, že RLDRAM II řešení nabízí podstatný nárůst výkonu s nízkou latencí a je vhodné pro návrhy vysokorychlostních síťových řešení. Infineon a Micron vyvíjejí RLDRAM II architekturu pro dosažení standardizace, znásobení možností a dosažení funkční kompatibility. RLDRAM II budou k dostání v klasickém 144-pinovém FBGA provedení. Dodávat se budou v balení o rozměrech 11x18,5 mm. K dispozici budou konfigurace 8 MB x 36, 16 MB x 18, a 32 MB x 9.
Zdroj: http://www.ebnews.com
Deb Matus, marketingový manažer produktů DRAM pro oblast sítí a komunikací společnosti Micron sídlící v Borstu v Idaho, prohlásil, že nová paměťová specifikace je výborným řešením pro systémy vysokorychlostního Ethernetu a pro následující generace síťových systémů, jež jsou navrhovány pro dosažení datových toků od 10 do 40 Gbit/s.
Ernst Strasser, marketingový ředitel pro oblast DRAM produktů u mnichovské společnosti Infineon Technologies dodal, že RLDRAM II řešení nabízí podstatný nárůst výkonu s nízkou latencí a je vhodné pro návrhy vysokorychlostních síťových řešení. Infineon a Micron vyvíjejí RLDRAM II architekturu pro dosažení standardizace, znásobení možností a dosažení funkční kompatibility. RLDRAM II budou k dostání v klasickém 144-pinovém FBGA provedení. Dodávat se budou v balení o rozměrech 11x18,5 mm. K dispozici budou konfigurace 8 MB x 36, 16 MB x 18, a 32 MB x 9.
Zdroj: http://www.ebnews.com
