AMD a IBM mají ještě napjatější křemík

Před nedávnem přišly největší výrobci polovodičových čipů s technologií nazvanou „strained silicon“ či „napjatý křemík“. Její kouzlo spočívá ve větších vzdálenostech mezi jednotlivými atomy křemíku, přičemž dvě ze šesti orbit mají menší energii. Náboje (elektrony a díry) tak mohou putovat křemíkem o něco rychleji. Technologie, která má být zdokonalením tohoto procesu, a jejíž ukončený vývoj ohlašují AMD a IBM nese název Dual Stress Liner (o překlad se raději ani nepokouším) a údajně zrychlí tranzistory o 24 % oproti těm, které jsou vyráběny klasickým způsobem. Urychlení vodivosti se podle tiskové zprávy týká jak typu N, tak i P, ale to není vzhledem k výše popsanému mechanismu žádné překvapení. Velkou výhodou technologie je snadná integrace do současného výrobního procesu, takže se snad již brzy dočkáme rychlejších čipů se stejným příkonem. Novinka se v blízké budoucnosti bude týkat procesorů AMD, PowerPC i čipu Cell jež je vyráběn společně se Sony.