AMD a IBM mají ještě napjatější křemík
14.12.2004, Petr Svoboda, aktualita
Před nedávnem přišly největší výrobci polovodičových čipů s technologií nazvanou „strained silicon“ či „napjatý křemík“. Její kouzlo spočívá ve větších vzdálenostech mezi jednotlivými atomy křemíku, přičemž dvě ze šesti orbit mají menší...
Před nedávnem přišly největší výrobci polovodičových čipů s technologií nazvanou „strained silicon“ či „napjatý křemík“. Její kouzlo spočívá ve větších vzdálenostech mezi jednotlivými atomy křemíku, přičemž dvě ze šesti orbit mají menší energii. Náboje (elektrony a díry) tak mohou putovat křemíkem o něco rychleji. Technologie, která má být zdokonalením tohoto procesu, a jejíž ukončený vývoj ohlašují AMD a IBM nese název Dual Stress Liner (o překlad se raději ani nepokouším) a údajně zrychlí tranzistory o 24 % oproti těm, které jsou vyráběny klasickým způsobem. Urychlení vodivosti se podle tiskové zprávy týká jak typu N, tak i P, ale to není vzhledem k výše popsanému mechanismu žádné překvapení. Velkou výhodou technologie je snadná integrace do současného výrobního procesu, takže se snad již brzy dočkáme rychlejších čipů se stejným příkonem. Novinka se v blízké budoucnosti bude týkat procesorů AMD, PowerPC i čipu Cell jež je vyráběn společně se Sony.
