Sice není odkaz na zdroj a na stránkách nature o tom nic nevidím, ale pokud to vydali oni, tak určitě nepůjde jen o neověřený nápad. Plus ­"mít­" jeden tranzistor naprosto nic neznamená. Absolutně nic to nevypovídá o možnosti vytvořit z toho čip, natož ho hromadně vyrábět, natož jakou by to mělo maximální frekvenci atd. Ale je to zajímavý výzkum.

Nemělo by na tom být nic těžkého, pokud dokáží nanést vrstvu uhlíku o tloušťce jednoho atomu,

postup výroby všech vrstev na procesorech je v zásadě stejný,
na wafer se ­"vyleje­" nějaká hmota, nechá se ­"zaschnout­" a EUV stroje pak pomocí různých masek tvarují tranzistory tak že odstraňují okolní nepotřebný materiál a pak se celý proces opakuje s dalším materiálem který celý wafer znovu překryje a odstraňuje se jen materiál v okolí tranzistoru

Limitem může pak být jen šířka toho UV ­(EUV­) které bude limitovat hustotu tranzistorů

Tato technologie by mohla být velice zajímavá zejména v případě tranzistorů typu Nanowire ­/ Nanosheet
TSMC a vlastně i Intel nám ukazuje už v praxi že dokáží s 3D vrstvením čipů pracovat, ale to jsou čipy a toto by se aplikovalo doslova na vrstvení tranzistorů

IMHO: zde tedy vidím skutečně asi největší potenciál v pokroku za posledních cca 40 let, kdy se tranzistor jen různě tvaroval a zmenšoval,
Za použití Nanowire technologie by se už nemuselo tolik dbát na zmenšování tranzistorů, které by se v podstatě mohlo klidně zastavit a začalo by se pracovat na vrstvení, podobně jako u paměťových čipů ­(buněk­) a vlastně i ty by se mohly výrazně zmenšit a naskládat na sebe tisíce vrstev, když už teď je v planu třeba 200 a víc vrstev