Digitimes: Apple by měl v příštím roce využít už 5nm proces TSMC

To svým způsobem potvrzuje zpráva serveru Digitimes, ovšem ta se netýká procesorů či SoC pro chystané počítače, ale pro nové iPhony, což se dalo čekat. Jak bylo uvedeno včera, firma TSMC má chystat zkušení výrobu 5nm procesem už od letošního druhého čtvrtletí a všeobecně se očekává, že ten tak bude v příštím roce už běžně k dispozici. Tak jednoduché to ale nebude, nicméně telefony iPhone chystané pro příští rok mají mít své SoC na tomto procesu postaveno. 

 

 

Stále přitom není jasné, jak se firmy jako TSMC vypořádají se zavedením EUV do výroby. Tato technologie se už sice využívá i v některých 7nm procesech, ovšem pouze pro tvorbu vrstev s datovými cestami a kontakty, kde není třeba využít ochrannou membránu. V případě 5nm procesů už se má EUV zapojit daleko více a před tím bude nutné vyřešit tři hlavní problémy.

 

Jednak je to aktivní doba provozu, čili uptime, která je oproti konvenčním technologiím na 70 až 80 procentech, přičemž čas jsou pochopitelně peníze. Dále jde o výtěžnost EUV masek, která byla loni na 72 procentech a nakonec je to zmíněná membrána, která musí být schopna chránit fotomasku, aniž by výrazně pohlcovala EUV záření, což je problém, když to je pohlcováno téměř vším. Cílem je vytvořit alespoň takovou, která propustí 88 % záření, umožní využít 300W zdroj tohoto záření a vydrží zpracování 10.000 waferů, než se bude muset vyměnit. Aktuálně má však firma ASML, výrobce EUV strojů, mít k dispozici membrány s vlastnostmi: 83 %, 250 W a 3.000 waferů. 

 

Co se týče EUV masek, ty jsou náchylné na všemožné defekty a článek na serveru SemiEngineering nám dá představu, proč tomu asi tak je. Klasický základ pro výrobu fotomasek se skládá z vrstvy chromu na skleněném substrátu. Oproti tomu EUV masky jsou vyrobeny ze 40 až 50 střídajících se vrstev křemíku a molybdenu na substrátu a na nich je navíc vrchní vrstva ruthenia a absorpční vrstva tantalu. Jistý rozdíl tu tedy je. 

 

Výsledná maska funguje jako zrcadlo, které odráží na potřebná místa waferu EUV záření. Jak totiž dobře víme, v EUV strojích se nedá použít klasická optika, neboť skleněné čočky by záření pohlcovaly. Je tak třeba použít namísto toho zrcadla, která jsou stejně jako masky vyrobena z vrstev křemíku a molybdenu.

 

Pokud však TSMC už bere objednávky na výrobu 5nm čipů, musí to vše být na dobré cestě a je to dobrá zpráva, že po mnoha letech se EUV konečně dočká reálného nasazení, které přinese výraznou změnu ve výrobě čipů. 

 

Zdroj: Digitimes, SemiEngineering