Nejlepší nastavení Mushkin Ehanced PC3200 (Winbond BH-6)?
Hledám, kdo by mi poradil a vysvětlil, jak co nejlépe nastavit Mushkin Ehanced PC3200 ram co obsahuje Winbond BH-6 čip. Samozřejmně základní nastavení jsou mi relativně jasné, ale mám nějaké hodně nestandardní dotazy :)
Aby bylo jasno, tak bios v Sapphire PI-A9RX480 (S939) boardu umí tohle všechno:
Nastavení, která jsem používal normálně dříve s OCZ ramkami (TCCD čipy jsou ale něco jiného než Winbond BH-6) - co mi není zcela jasné dávám tučně:
Sapphire Grouper A9RX480 mobo settings, Opteron 148
FSB bus frequency - 279Mhz
HTT divider ratio - 800Mhz or 4x
CPU FSB multiplier - 10
PCIExpress frequency - 111
Radeon Xpress 200 Voltage - Default (1.22V)
CPU Voltage - Default (1.40V)
HTT Voltage - Default (1,22V)
PCI-E 1.2 Voltage - Default (1,22V)
PCI-E 1.8 Voltage - Default (1,80V)
HT Link Configuration - Enabled
Upstream LDT Bus Width - 16bit
Downstream LDT Bus Width - 16bit
LDT Bush Frequency - 800Mhz (4 x FSB)
NB HT PLL Control - Manual
PLL High Speed Mode - High Speed
PLL Stability Calibration - 00 (00 - 1F)
Memclock DRAM Frequency divider - 166 (that give about 231MHz for the rams)
Refresh Period (Tref) - 200 - 7.8us
1T/2T mem timing (Command Per Clock) - 1T
Read Preamble Time - 5,5ns
Async Latency value - 7ns
R/W Queue Bypass Count - 16x
Dynamic Iddle Counter - Disabled
IdleCycle Limit - 256 cycles
Bypass Max - 7
Memory DQ Drive Strength - Not Reduced
ODD divisor correct - Disabled
DRAM Drive Strength - Normal Drive
DQS Hysteresis - Disabled
Burst20pt - Disabled
Digital Locked Loop (DLL) - Enabled
Disable Jitter - Disabled
DDR Memory Drive Strength - Nominal
Dual DIMM - Auto
DLL Speed Override - Enabled
DLL Speed - High Speed
32 Byte Granularity - Disabled
231MHz OCZP4001G ram nastavení (asi ne zrovna optimální, jak se tak na to dnes dívám):
TCL - 2,5
TRAS - 7
TRCD - 3
TRP -3
TRRD - 3
TRC - 16
TRFC - 18
TRWT -5
TWTR - 2
TWR - 3
2,64V
200MHz Mushkin Ehnanced PC3200 současné nastavení:
TCL - 2
TRAS - 6
TRCD - 2
TRP - 2
TRRD - 2
TRC - 8
TRFC - 24
TRWT - 2
TWTR - 2
TWR - 2
2,72V
O co mi jde je toto:
1) chtěl bych pochopit ty tučně vyznačené nastavení lépe. Některé si myslím, že by se mohly dát nastavit lépe (rychleji).
2) chtěl bych doporučení, které časování první uvolnit, aby ramky šly na vyšší takt (kolem 235 - 250MHz uvažuji tak)
Aby bylo jasno, tak bios v Sapphire PI-A9RX480 (S939) boardu umí tohle všechno:
Nastavení, která jsem používal normálně dříve s OCZ ramkami (TCCD čipy jsou ale něco jiného než Winbond BH-6) - co mi není zcela jasné dávám tučně:
Sapphire Grouper A9RX480 mobo settings, Opteron 148
FSB bus frequency - 279Mhz
HTT divider ratio - 800Mhz or 4x
CPU FSB multiplier - 10
PCIExpress frequency - 111
Radeon Xpress 200 Voltage - Default (1.22V)
CPU Voltage - Default (1.40V)
HTT Voltage - Default (1,22V)
PCI-E 1.2 Voltage - Default (1,22V)
PCI-E 1.8 Voltage - Default (1,80V)
HT Link Configuration - Enabled
Upstream LDT Bus Width - 16bit
Downstream LDT Bus Width - 16bit
LDT Bush Frequency - 800Mhz (4 x FSB)
NB HT PLL Control - Manual
PLL High Speed Mode - High Speed
PLL Stability Calibration - 00 (00 - 1F)
Memclock DRAM Frequency divider - 166 (that give about 231MHz for the rams)
Refresh Period (Tref) - 200 - 7.8us
1T/2T mem timing (Command Per Clock) - 1T
Read Preamble Time - 5,5ns
Async Latency value - 7ns
R/W Queue Bypass Count - 16x
Dynamic Iddle Counter - Disabled
IdleCycle Limit - 256 cycles
Bypass Max - 7
Memory DQ Drive Strength - Not Reduced
ODD divisor correct - Disabled
DRAM Drive Strength - Normal Drive
DQS Hysteresis - Disabled
Burst20pt - Disabled
Digital Locked Loop (DLL) - Enabled
Disable Jitter - Disabled
DDR Memory Drive Strength - Nominal
Dual DIMM - Auto
DLL Speed Override - Enabled
DLL Speed - High Speed
32 Byte Granularity - Disabled
231MHz OCZP4001G ram nastavení (asi ne zrovna optimální, jak se tak na to dnes dívám):
TCL - 2,5
TRAS - 7
TRCD - 3
TRP -3
TRRD - 3
TRC - 16
TRFC - 18
TRWT -5
TWTR - 2
TWR - 3
2,64V
200MHz Mushkin Ehnanced PC3200 současné nastavení:
TCL - 2
TRAS - 6
TRCD - 2
TRP - 2
TRRD - 2
TRC - 8
TRFC - 24
TRWT - 2
TWTR - 2
TWR - 2
2,72V
O co mi jde je toto:
1) chtěl bych pochopit ty tučně vyznačené nastavení lépe. Některé si myslím, že by se mohly dát nastavit lépe (rychleji).
2) chtěl bych doporučení, které časování první uvolnit, aby ramky šly na vyšší takt (kolem 235 - 250MHz uvažuji tak)
TWTR nastaveno na 1 - žádná změna v rychlosti ram v memtestu, tedy o ničem :)
TRWT nastaveno na 1 - a z 1610 jsme na 1635 :) Vida, vida :)
TRFC - při nastavení na 9 to ramky nedají a mobo jen zoufale pípá. Nastavení 16, 14 a 12 šlapou, ale žádný nárust (ale ani snížení) výkonu. 11 se zrovna testuje v Prime95 a zatím se zdá, že dobrý...
Podle francouzských tweakerů ( http://www.tweakers.fr/timings.html ) platí, že:
optimální TRAS = TCL + TRCD + 2 (tedy v tomto případě 6)
optimální TRC = TRAS + TRP (tedy v tomto případě 8)
...a pak že TREF je čím větší, tím lepší. Dává to smysl, protože čím časteji se musí dělat refresh ramek, tím méně času má CPU k nim přistupovat...
Pak mně ale také dost zajímá nastavení Memory DQ Drive Strength - dočetl jsem se v návodu na přetaktování:
http://digilander.libero.it/ing.tripodina/Overclocking_Guide_CrossFire_Xpress3200.pdf
...že mám nastavit neredukovaný pro procesory vyrobené CG a D revizí/steppingem. Na druhou stranu pro procesory s revizí/steppingem E je prý třeba snížit drive strenght abychom dosáhli maximálního overclocku. Prý např. s Samsung TCCD 512MB ramkou a revizí E je nutno snížit nastavení Memory DQ Drive Strength na 50%.
Vzniká tedy výborná otázka, jakou revizi/stepping vlastně můj Opteron 148 má:
http://ax2.old-cans.com/grouper/Opty148_2.htm
...podle mně je to revize E, takže výše uvedená potřeba snížení DQ Drive Strenght pro mě asi plati...?
TRWT nastaveno na 1 - a z 1610 jsme na 1635 :) Vida, vida :)
TRFC - při nastavení na 9 to ramky nedají a mobo jen zoufale pípá. Nastavení 16, 14 a 12 šlapou, ale žádný nárust (ale ani snížení) výkonu. 11 se zrovna testuje v Prime95 a zatím se zdá, že dobrý...
Podle francouzských tweakerů ( http://www.tweakers.fr/timings.html ) platí, že:
optimální TRAS = TCL + TRCD + 2 (tedy v tomto případě 6)
optimální TRC = TRAS + TRP (tedy v tomto případě 8)
...a pak že TREF je čím větší, tím lepší. Dává to smysl, protože čím časteji se musí dělat refresh ramek, tím méně času má CPU k nim přistupovat...
Pak mně ale také dost zajímá nastavení Memory DQ Drive Strength - dočetl jsem se v návodu na přetaktování:
http://digilander.libero.it/ing.tripodina/Overclocking_Guide_CrossFire_Xpress3200.pdf
...že mám nastavit neredukovaný pro procesory vyrobené CG a D revizí/steppingem. Na druhou stranu pro procesory s revizí/steppingem E je prý třeba snížit drive strenght abychom dosáhli maximálního overclocku. Prý např. s Samsung TCCD 512MB ramkou a revizí E je nutno snížit nastavení Memory DQ Drive Strength na 50%.
Vzniká tedy výborná otázka, jakou revizi/stepping vlastně můj Opteron 148 má:
http://ax2.old-cans.com/grouper/Opty148_2.htm
...podle mně je to revize E, takže výše uvedená potřeba snížení DQ Drive Strenght pro mě asi plati...?
