Hynix oznamuje DDR3, standard roku 2009

Na čínských serverech HKEPC Hardware se v uplynulých dnech objevila zpráva o standardu DDR3 pro rok 2009 a zároveň na serveru Tech-On! zase informace, že Hynix Semiconductor jako první získal atest pro použití DDR3 paměťových modulů pro platformu Intel.


Jak jsme informovali, jsou již vyráběny základní desky s čipovými sadami Intel P35 'Bearlake', u nichž se počítá s podporou pamětí DDR3.


Pojďme se tedy podívat na uvedená fakta. Čipovou sadu Intel P35 a G33 'Bearlake' by měl Intel v nejbližších dnech oficiálně představit. Hromadná výroba 1Gb a 2Gb čipů DDR3 na 80nm lince začne ve třetí čtvrtině tohoto roku. Hynix v té době plánuje současně přechod na 66nm technologii. Nové 1Gb a 2Gb DDR3 SDRAM čipy jsou zatím zkušebně vyráběny na firemních 80nm linkách. Vlastnosti jednotlivých čipů jsou tyto:


Dalším charakteristickým rysem těchto DDR3 paměťových čipů je redukovaná spotřeba proudu o téměř 25% ve srovnání s moduly DDR2. Trojrozměrná tranzistorová architektura minimalizuje proudový svod, a dále snižuje celkovou spotřebu proudu. Veškeré parametry 1GB a 2GB DDR3 paměťových modulů Hynix jsou uvedeny v tabulkách:

DDR3 SDRAM - Unbuffered DIMM 1GB:



DDR3 SDRAM - Unbuffered DIMM 2GB:

Dle statistik a předpovědí DRAMeXchange se standardem paměťové moduly DDR3 mohou stát až někdy v roce 2009. Současný vývoj na poli prodeje DRAM je uveden v následující tabulce. Hynix si zde vede velmi dobře a atakuje tak doposud první místo Samsungu.

Budeme sledovat další vývoj. Potřeba paměťových modulů DDR3 pro platformu AMD zřejmě přejde až příští rok, což přispěje k dalšímu zvýšení zájmu. Do té doby bude zřejmě převládat zájem pouze o DDR2.

Zdroj: DRAMeXchange, HKEPC, Hynix