Hynix si licencoval technologii Z-RAM

Společnost Hynix Semiconductor si od společnosti Innovative Silicon licencovala paměťovou technologii Z-RAM pro použití ve svých pamětech DRAM. Paměti DRAM založené na Z-RAM budou využívat jednotranzistorové buňky (single transistor bitcell), ne kombinaci tranzistorů a kondenzátorů. Hynix tak do rukou dostává zajímavou technologii, která by mohla podstatně zlepšit jeho postavení na trhu díky předpokládané levné výrobě, protože mají menší rozměry při stejné kapacitě.
Technologii Z-RAM si již v minulosti licencovala firma AMD, která ji chtěla využít u svých 65nm procesorů pro cache. Nakonec z toho ale sešlo a ani IBM se pro Z-RAM nerozhodlo a radši zůstalo u eDRAM. AMD si ale licenci samozřejmě ponechá a možná ji využije pro jiné účely.

Společnost Innovative Silicon hodlá s Hynixem dle slov jejího CEO Mark-Erica Jonese na vývoji Z-RAM spolupracovat. Oproti SRAM má Z-RAM nabídnou pětkrát větší hustotu a ve srovnání s DRAM dvakrát větší. Co se týče spotřeby, pak si technologie stojí velmi podobně. Dnešní čipy Z-RAM dokáží zatím pracovat na 500 MHz, což není v žádném případě dostatečné, ale vývoj pokračuje a nabírá obrátky.

Zdroj: X-bit labs