IBM vyvinulo světově nejrychlejší eDRAM
23.9.2009, Jan Vítek, aktualita
Společnost IBM oznámila, že se jí podařilo pomocí 32nm technologie a již sedmé generace procesu SOI (Silicon on Insulator) vyvinout světově nejmenší a nejrychlejší paměťový čip typu eDRAM (embedded DRAM). Nová eDRAM má poskytnout vyšší hustotu...
Společnost IBM oznámila, že se jí podařilo pomocí 32nm technologie a již sedmé generace procesu SOI (Silicon on Insulator) vyvinout světově nejmenší a nejrychlejší paměťový čip typu eDRAM (embedded DRAM).
Nová eDRAM má poskytnout vyšší hustotu dat než dokonce oznámené 22nm embedded SRAM, o nichž IBM vypustilo zprávy do světa v srpnu minulého roku a dokonce čtyřikrát větší než dnešní 32nm eSRAM. Latence eDRAM přitom činí méně než 2 ns a výhodou je rovněž velmi malá spotřeba.
Taková paměť je tedy velmi vhodná pro vícejádrové procesory a jiné čipy, do nichž také IBM plánuje 32nm eDRAM integrovat a také spolupracovat se společností ARM, která vyvíjí mobilní nízkospotřebové čipy, kde se jistě bude také hodit. IBM pak už pokukuje po 22nm procesu SOI, jehož produkty se představí také na International Electron Devices Meeting v prosinci.
Zdroj: X-bit labs
Nová eDRAM má poskytnout vyšší hustotu dat než dokonce oznámené 22nm embedded SRAM, o nichž IBM vypustilo zprávy do světa v srpnu minulého roku a dokonce čtyřikrát větší než dnešní 32nm eSRAM. Latence eDRAM přitom činí méně než 2 ns a výhodou je rovněž velmi malá spotřeba.
Taková paměť je tedy velmi vhodná pro vícejádrové procesory a jiné čipy, do nichž také IBM plánuje 32nm eDRAM integrovat a také spolupracovat se společností ARM, která vyvíjí mobilní nízkospotřebové čipy, kde se jistě bude také hodit. IBM pak už pokukuje po 22nm procesu SOI, jehož produkty se představí také na International Electron Devices Meeting v prosinci.
Zdroj: X-bit labs
