Intel a Micron mají první vzorky 25nm NAND flash typu 3-Bit-Per-Cell
18.8.2010, Jan Vítek, aktualita
Společnosti Intel a Micron začaly svým partnerům poskytovat první vzorky 25nm pamětí NAND flash typu 3-Bit-Per-Cell (3 bity na buňku), což jsou momentálně paměti NAND flash s největší kapacitou vzhledem k zabranému prostoru. Vyvinula je...
Společnosti Intel a Micron začaly svým partnerům poskytovat první vzorky 25nm pamětí NAND flash typu 3-Bit-Per-Cell (3 bity na buňku), což jsou momentálně paměti NAND flash s největší kapacitou vzhledem k zabranému prostoru.
Vyvinula je firma IM Flash Technologies, což je společný podnik Intelu a Micronu a jedná se o 8GB čipy s buňkami MLC (Multi-Level Cell). Již dnes se ale pro tyto paměti schopné držet v jedné buňce 3 bity vžívá název TLC (Triple-Level Cell). Výsledkem je, že oproti normálním 25nm MLC pamětem jsou TLC o 20 procent menší, konkrétně 131 mm2 v pouzdru TSOP.
Malé rozměry čipů jsou zvláště důležité u produktů, jako jsou paměťové karty. Do nich by se nové paměti mohly dostat se začátkem příštího roku.
Zdroj: X-bit labs
Vyvinula je firma IM Flash Technologies, což je společný podnik Intelu a Micronu a jedná se o 8GB čipy s buňkami MLC (Multi-Level Cell). Již dnes se ale pro tyto paměti schopné držet v jedné buňce 3 bity vžívá název TLC (Triple-Level Cell). Výsledkem je, že oproti normálním 25nm MLC pamětem jsou TLC o 20 procent menší, konkrétně 131 mm2 v pouzdru TSOP.
Malé rozměry čipů jsou zvláště důležité u produktů, jako jsou paměťové karty. Do nich by se nové paměti mohly dostat se začátkem příštího roku.
Zdroj: X-bit labs
