IM Flash Technologies, podnik, jenž vlastní společnosti Intel a Micron, dnes oznámil, že začne se stavbou nové továrny na výrobu 50nm pamětí flash pomocí 300mm waferů. Činí tak především proto, aby dokázali lépe konkurovat na dnešním rychle se rozvíjejícím trhu s těmito paměťmi, kde téměř s polovinou podílu vede Samsung následovaný Toshibou a Hynixem. Nová továrna se tak přidá k již existujícím v Manassasu (Virginia), Boise (Idaho) a momentálně stavěné v Lehi (Utah).
Spuštění provozu je plánováno na druhou polovinu roku 2008, v níž se začne na 50nm technologii. Již dnes se v existujících továrnách touto technologií vyrábějí zkušební vzorky pamětí o kapacitě 4Gb. Avšak i přes nové továrný bude úloha Intelu a Micronu těžká. Samsung využívá svého dominantního postavení na trhu a chystá se ještě zrychlit. V září tato společnost potvrdila výrobu prvních 40nm flash čipů a navíc i novou technologii, která dovolí výrobu dokonce 20nm čipů. 32Gb 40nm čipy mají být využity v paměťových kartách s kapacitou až 64GB a od 20nm technologie si firma slibuje dokonce 512GB karty. Zdá se, že konkurence pro pevné disky je již konečně na dohled.
Zdroj: TGDaily
Spuštění provozu je plánováno na druhou polovinu roku 2008, v níž se začne na 50nm technologii. Již dnes se v existujících továrnách touto technologií vyrábějí zkušební vzorky pamětí o kapacitě 4Gb. Avšak i přes nové továrný bude úloha Intelu a Micronu těžká. Samsung využívá svého dominantního postavení na trhu a chystá se ještě zrychlit. V září tato společnost potvrdila výrobu prvních 40nm flash čipů a navíc i novou technologii, která dovolí výrobu dokonce 20nm čipů. 32Gb 40nm čipy mají být využity v paměťových kartách s kapacitou až 64GB a od 20nm technologie si firma slibuje dokonce 512GB karty. Zdá se, že konkurence pro pevné disky je již konečně na dohled.
Zdroj: TGDaily
