Intel u procesu 18A dosahuje stejné hustoty SRAM jako TSMC N2
21.2.2025, Milan Šurkala, aktualita
Před pár dny nezávislá analýza prohlašovala, že hustota tranzistorů by u procesu Intel 18A měla být nižší než u TSMC N2. Intel ale na konferenci ISSCC 2025 prezentoval pro paměti SRAM o něco lepší hodnotu.
Proces Intel 18A je od svého praktického uvedení stále ještě více než půl roku daleko, nicméně konkurenční 2nm procesy přijdou patrně ještě později. Nedávno prezentovaná nezávislá analýza předpokládala, že 18A bude mít znatelně nižší hustotu tranzistorů než připravovaný TSMC N2, nicméně Intel na konferenci ISSCC 2025 ukazoval čísla, která vypadají podstatně zajímavěji. Konkrétně se jednalo o HDC SRAM, kde se povedlo dosáhnout hustoty 34,3 Mb/mm2 a o 68 mV nižšího minimálního napětí, nicméně s jinou konfigurací a dalším zmenšením periferních obvodů se povedlo dostat dokonce na 38,1 Mb/mm2. Konkurenční TSMC N2 by se měl pohybovat okolo 38 Mb/mm2, takže v tomto ohledu by měly být procesy docela vyrovnané.
TSMC N2 by měl mít sice mnohem menší buňky SRAM s plochou okolo 0,0175 µm2, zatímco Intel se dostal jen na 0,021 µm2, nicméně v jeho případě je už použita i technologie PowerVia (jinde známo také jako Backside Power Delivery), což je technologie, kterou TSMC teprve jen plánuje u dalších nástupců. Tato technologie zajišťuje efektivnější napájení a spolu s technologií RibbonFET zvyšuje hustotu čipů. Oba výše zmíněné procesy přinesou také technologii GAA (Gate All Around). Pro proces Intel 18A to začíná vypadat trochu více optimisticky, ale stále je potřeba vše brát trochu s rezervou a počkat si, jak se projeví první reálné čipy postavené na obou nových procesech. Každopádně větší konkurence na poli výrobních procesů by rozhodně nebyla na škodu.
