Americký Micron se pochlubil 4. generací svých pamětí 3D NAND Flash, což jsou konkrétně 128vrstvé paměti postavené na architektuře RG, čili Replacement Gate. Produkty na nich založené mají nastoupit příští rok.
reklama
Diskuze k článku: Micron na příští rok chystá 128vrstvé 3D NAND s architekturou RG
9.10.2019, Jan Vítek, aktualita
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.
reklama
reklama
Z dalších serverů
reklama
reklama