Paměťmi QLC NAND Flash to nekončí, chystají se PLC

Nejdříve tak přišly prosté paměti dnes označované jako SLC - Single-Level Cell, v jejichž buňkách stačilo rozpoznávat jen dvě úrovně elektronového náboje, čili 0 a 1, což je ve výsledku jeden bit. Později nastoupily MLC - Multi-Level Cell, i když dnes bychom už měli možná mluvit o DLC - Dual-Level Cell, ale budeme ctít původní označení. Ty zdvojnásobily kapacitu buněk, ovšem také stavů, které je třeba rozpoznávat, neboť jde o celkem čtyři kombinace nul a jedniček (00, 01, 10, 11).

 

 

Paměti TLC se třemi bity na buňku (+50 % kapacity) už musí rozeznávat osm úrovní náboje (2³) a QLC se čtyřmi bity (+ 33 % kapacity) rovnou 16 úrovní (2⁴). S každým dalším bitem v buňce se tak počet stavů vždy zdvojnásobí, ovšem výhoda v kapacitě navíc je stále méně podstatná, ovšem i tak bychom se měli dočkat přinejmenším ještě pamětí PLC s pěti bity na buňku, které tak musí rozpoznat rovnou 32 úrovní náboje. 

 

 

Dnes je přitom nejběžnější SSD takové, které je vybaveno paměťmi TLC a už v takovém případě je rychlost zápisu tak nízká, že se musí používat velikostně omezená SLC cache, čili stejné buňky stejných čipů NAND Flash, jen pracující v režimu SLC. Nové QLC paměti jsou stále ještě v minoritě a my už pomalu můžeme vyhlížet PLC (Penta-Level Cell) paměti, které vyvíjí Toshiba společně s Western Digital.

 

Na světě již jsou fungující prototypy a je třeba se ptát, jak na tom budou se spolehlivostí či výdrží a rychlostí zápisu. Právě toto jsou vlastnosti, které se s navyšováním počtu bitů v buňkách prokazatelně zhoršují a už paměti QLC přitom vypadaly v tomto ohledu nevábně. 

 

Můžeme ale říci, že někde by to mělo skončit, neboť nárůst úrovní nábojů nutných rozpoznat mezi sebou roste s mocninami dvojky a naopak nárůst kapacity se snižuje. Už PLC by tak mohly znamenat konečnou stanici. 

 

Zdroj: Guru3D