Plány TSMC ukazují na 2nm GAA proces, zatím je ve vývoji
28.4.2021, Jan Vítek, aktualita
Dobře víme, že Samsung by měl jako první výrobce na světě nasadit v čipech nový typ tranzistorů, které známe jako GAA, GAAFET či MBCFET. To se nám potvrzuje i v plánech firmy TSMC, která s GAA počítá až pro 2nm proces.
Samsung je rozhodnut přejít na tranzistory MBCFET již v rámci 3nm procesu, který je sice trošku opožděn za 3nm procesem firmy TSMC, ovšem i tak to znamená, že Samsung nasadí typ MBCFET jako první, samozřejmě pokud se nestane něco nepředloženého. Jiný konkurent, který by byl schopen Samsung či potažmo TSMC předhonit, tu zkrátka není. Jako další v úvahu připadá Intel a ten by chtěl začít vyrábět čipy s MBCFET spíše v horizontu čtyř až pěti let. Ale uvidíme, jak se projeví nové vedení Patricka Gelsingera.
Tato známá roadmap ukazuje vývoj výrobních procesů firmy TSMC a končí právě technologií N3. Ta je tu zcela správně umístěna do druhé poloviny příštího roku, kdy má začít masová výroba (zkušební ještě letos). Aktuálně tak TSMC používá coby svůj nejlepší technologii známou N5, jejíž kapacitu chce letos rozšířit až na 125 tisíc waferů měsíčně (WSPM), což umožní, aby ji mohli využívat i další významní zákazníci jako Qualcomm, AMD, MediaTek nebo i Intel.
Ovšem v dané roadmap zcela chybí proces N4, který je vylepšenou verzí procesu N5, stejně jako je N6 založen na N7. Proces N4 chce využít pochopitelně nejdříve Apple, a to pro výrobu SoC nových telefonů iPhone chystaných na druhé čtvrtletí příštího roku. Díky tomu by už Apple mohlo částečně uvolnit své kapacity na 5nm linkách, ale to bychom museli automaticky předpokládat, že 4nm linky budou zcela nové.
| N7 vs. 16FF+ | N7 vs. N10 | N7P vs. N7 | N7+ vs. N7 | N5 vs. N7 | N5P vs. N5 | N4 vs. N5 | N3 vs. N5 | |
| Spotřeba | -60% | <-40% | -10% | -15% | -30% | -10% | nižší | -25-30% |
| Výkon | +30% | ? | +7% | +10% | +15% | +5% | vyšší | +10-15% |
| Zvýšení hustoty tranzistorů | 70% | >37% | - | ~17% | 1,8x |
- | ? | 1,7x |
| Začátek masové výroby | 2018 | 2018 | 2019 | 2. kvartál 2019 | 2. kvartál 2020 | 2021 | 2022 | 2. pololetí 2022 |
V příštím roce chce TSMC ještě dále rozšířit své 5nm kapacity, aby se na celkových tržbách firmy podílel až 40 procenty, což by představovalo opravdu raketový nástup i oproti 7nm procesu, který se používá už od roku 2018 a od té doby si sáhl nanejvýš na 36 procent, přičemž nyní se už bude jeho podíl pochopitelně spíše jen snižovat.
A pokud jde o 2nm a 1nm technologie, zde už chce TSMC také přejít na tranzistory MBCFET / technologii GAA - Gate All Around, jak je označován další krok za rámec FinFET. Zatím se nedozvíme nic bližšího, pouze to, že vývoj probíhá ve Fab 12.
Zdroj: HardwareTimes
