Paměti DRAM
60nm výroba DRAM pamětí Samsung

Společnost Samsung začala vyrábět
DRAM pamětí
60nm metodou, čímž by měla efektivita výroby vzrůst přibližně o 40% oproti nynější 80nm výrobě a dokonce téměř na dvojnásobek oproti 90nm výrobě.
1Gbit čipy se budou využívat při výrobě 512MB, 1GB a 2GB modulů o rychlostech 667MHz nebo 800MHz.
Kingston uvádí 2GB moduly DDR2-800 s nízkými latencemi

Nové paměti
Kingstonu patří do
HyperX série a při frekvenci
DDR2-800 a kapacitě
2GB se mohou pochlubit velmi pěkným časováním
CL4-4-4-12 při napětí
2,0V. Doplňují tak stávající 512MB a 1GB moduly (resp. 1GB a 2GB dual channel kity). I tyto paměti se nabízí jako dual channel kit, tedy celkem s kapacitou 4GB.
Qimonda přeskakuje GDDR4, jde rovnou na GDDR5

Společnost
Qimonda se nehodlá zapojit do výroby GDDR4 pamětí, ale rovnou vyvíjet a vyrábět
GDDR5 paměti pro grafické karty. Tyto paměti by měly využít nové grafické čipy ATi R700 a pravděpodobně nVidia G100 (u G90 je to nepravděpodobné). Pro rok 2011 se předpokládá jejích 90% zastoupení. Výhodou má být nízká spotřeba a mnohonásobně vyšší výkon.
Samsung: DRAM pamětí bude hodně, NAND flash naopak málo

Poptávka po paměťových modulech v poslední době neroste a tak jich začíná být dostatek až přebytek. Přesně opačným problémem trpí NAND flash paměti, po kterých poptávka velmi výrazně roste a v druhé polovině tohoto roku se předpokládá velmi výrazný nedostatek.