Přehled dění v oblasti hardware za únor 2006
9.3.2006, Milan Šurkala, článek
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se za právě uplynulý měsíc únor stalo.
Kapitoly článku:
Paměti DRAM
Corsair XMS-3200C2 XPERT moduly, dále paměti pro Centrino a 1GHz moduly
Nové moduly společnosti Corsair, XMS-3200C2 XPERT, jsou vybaveny displejem, který na základě údajů z čidel ukazuje teplotu, frekvenci a napětí modulů. Jedná se o DDR400 moduly s časováním 2-3-3-6. Pracovní napětí je poměrně vysokých 2,75V, k dostání jsou ve 2GB kitech (2×1GB).
Pro nejnovější generaci platformy Centrino (s procesory Core Duo a Core Solo) připravil Corsair moduly DDR2-667 SO-DIMM. Ty se nabízí ve velikostech 512MB a 1GB, přičemž při frekvenci 667MHz potřebují standardní napětí DDR2 pamětí, 1,8V. Časování je 5-5-5-12.
Třetí novinkou společnosti Corsair jsou 1GHz moduly DDR2. Tato řada nese jméno PC2-8000 Gold XTC a už podle tohoto názvu je patrné, že jsou paměti vybaveny heatspreadery XTC. Vyráběny jsou v 512MB a 1GB modulech nebo jako dvoukanálových kitech 1GB a 2GB. Časování činí 5-6-6-15, tedy žádný zázrak, ale při tak vysoké frekvenci to lze očekávat. Výrobce nabízí doživotní záruku.
Nepříjemná zpráva, ceny DDR a DDR2 pamětí rostou
Ačkoli většina ceny počítačových komponent klesá, u paměťových modulů je tomu přesně naopak. Ceny DDR čipů se zvýšily o cca 10% za první polovinu února, u DDR2 pamětí to bylo až o 20%! Zatímco DDR paměti posléze svou cenu držely či zlevňovaly, DDR2 ještě o něco povyskočily.
Toshiba inovuje: MRAM a FeRAM paměti
Spolu s firmou NEC vyvinula Toshiba vylepšené paměti MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Mají upravené obvody tak, že větví cesty pro čtení a zápis, odpor tak klesá o 38%. Je dosaženo vysokých přenosových rychlostí 200MB/s , jeden cyklus trvá pouhých 34ns a to vše při napětí 1,8V. Jedná se o 16Mbit čipy vyráběné 130nm CMOS procesem.
Další novinkou jsou FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) paměti. Přenosová rychlost je taktéž 200MB/s, kapacita ale činí 64Mbit. FeRAM nevyžadují neustálé obnovování jako DRAM, jsou tedy podobné pamětem SRAM, které vyžadují pouze napětí k uchování obsahu. FeRAM pak nepotřebují k udržení obsahu paměti ani to napětí. Jeden cyklus trvá 60ns, pracovní napětí činí 2,5-3,3V.
Elpida zlepšuje DDR3
Díky novým technologiím se podařilo společnosti Elpida snížit počet vodičů v DDR3 pamětech snížit na polovinu. To rovněž snižuje parazitní kapacity. Přístupová doba k cílové buňce v daném sloupci (Column Access Time) činí pouhých 8,75ns.
Napětí je pouhých 1,5V, vylepšením jsou dva čítače, pro liché a sudé počty signálů. Při vstupní frekvenci 800MHz činí přenosová rychlost 1,6Gb/s. Paměti jsou vyráběny 90nm procesem.
GDDR4 už na 3,2GHz
Samsung se činí a my se můžeme zanedlouho těšit na vskutku velmi výkonné grafické karty. Nové čipy totiž podporují GDDR4 paměti, které dokázala společnost Samsung vybičovat už na 3,2GHz.
Tentokrát se jedná o 512Mbit čipy vyráběné 80nm procesem. Při 256-bitovém zapojení činí přenosová rychlost (teoretická maximální) 102,4GB/s!
Super Talent Technology představuje rychlé paměti s nízkými latencemi
Tato u nás poměrně neznámá společnost představila rychlé DDR2-800 paměťové moduly, které se zároveň pyšní nízkými latencemi. Ty jsou vyjádřeny čtveřicí hodnot 4-3-4-8.
Jsou k dispozici ve 2GB kitu (2×1GB), hliníkové heatspreadery mají za úkol lepší chlazení pamětí.
OCZ má rovněž paměti s nízkými latencemi, ale DDR500
Firma OCZ je známá kvalitními a rychlými paměťovými moduly a nejinak tomu je i u jejich dalších nových pamětech. PC-4000 EL DDR Platinum XTC jsou DDR500 paměti s XTC heatspreadery a nízkými latencemi 3-3-3-8. Jsou k dispozici v 1GB modulech či jako 2GB kit (2×1GB).