Gigabyte GA-G1975X - první vlaštovka s i975X

V prvním případě se jedná o dvojici gigabytových modulů Corsair TWIN2X2048-6400PRO (XMS6405v1.1), která představuje high-end v oblasti paměťových modulů DDR2. Moduly jsou výrobcem certifikované až na frekvenci 800MHz s časováním 5-5-5-12 a při napětí 1.9V (čili se jedná pouze o 0.1 V nad standardem). Jejich specialitou je nadstandardní provedení, které je pro zástupce série s koncovým značením PRO společné - rozměrný, oboustranný hliníkový pasiv se sérií barevných LEDek na svém hřbetu indikujících vytížení modulu.

Pro doplňující možnosti porovnání se testů zúčastní další paměťové moduly (pro případ, že by si některá základní deska s moduly Corsair z nějakého důvodu nerozuměla, nebo při dosahování podivných výsledků - bude tak možné porovnat chování desky i s jinými moduly). Jedná se o dvojici 512 MB modulů, které však nejsou již z výroby určené pro prodej - jedná se o testovací vzorky (Engineering Sample) s čipy Micron. Jejich značení hovoří o pracovní frekvenci 533 MHz s časováním 4-4-4-10.

Testování stability probíhalo pomocí testovacího programu Memtest86+ v podobě poslední verze 1.65 a všechny prezentované hodnoty znamenají, že při daném nastavení Memtest86+ proběhl celý bez jediné chyby. Před samotným laděním parametrů ovlivňujících výkon se nejprve podívejme na sledování napětí poskytovaného pamětem základní deskou. K tomuto účelu posloužila známá utilita Speedfan (verze 4.27).

Stejně jako v minulém případě základní desky Gigabyte GA-8I955X Royal jsem zde vyzkoušel navolit všechny možné násobiče pro určení frekvence paměti při FSB 200 MHz a opět se zde setkáváme s automatickým zvýšením napětí paměti při zvolení nestandardního násobiče. Ale hodnoty jako takové jsou tentokrát poněkud vyšší. Standardní napětí je zde Speedfanem rozpoznáno jako 1.808 až 1.824 V namísto 1.776 až 1.792 v minulém případě. Stejně tak i zvýšené napětí je zde v podobě 2.112 až 2.128 namísto 2.016 až 2.031 (jedná se tedy o nárůst cca 0.32 V namísto 0.24 V). Byl jsem tedy zvědav, zda se mírně vyšší napětí při stejně navolených hodnotách projeví lepšími možnostmi přetaktování paměti.

I tentokrát k automatickému zvyšování napětí docházelo také v případě překročení frekvence FSB 210 MHz nezávisle na zvoleném násobiči pro určení frekvence paměti (a tedy její výsledné frekvenci).



I nastavení frekvence FSB na méně než 200 MHz a zvolení nestandardního násobiče neznamenalo výjimku a ke zvýšení napětí pamětí automaticky docházelo. Čili v tomto směru se jedná o naprosto shodné pravidlo, jako v případě dříve testovaného modelu Gigabyte GA-8I955X Royal (jen s mírně vyššími hodnotami).


Pokud jde o použitelné časování při frekvencích 533, 667 a 800 MHz, jedná se o shodné hodnoty jako v minulém případě. Tedy v tomto směrů žádná změna. Avšak přetaktování pamětí zde bylo o něco málo lepší, což bych přisuzoval právě mírně vyšším hodnotám napětí při shodném nastavení. Ve dvou případech se jednalo pouze o zlepšení v rámci jednoho stupňě (1 MHz na FSB = 4 MHz pro frekvenci pamětí - jelikož nelze jednotlivá nastavení z časových důvodů ověřovat takovým způsobem, aby se dala označit jako "rock-stable" za všech okolností, tak takovéto malé rozdíly lze považovat za shodu). Při 4-4-4-12 a napětí nastaveném jako + 0.3 V se však maximální "bezchybná" frekvence ustálila při stejném násobiči na frekvenci 852 MHz namísto 824 MHz v minulém případě, což je už znát a odpovídá to mírně vyššímu napětí.


V případě doplňujících paměťových modulů ES se jednalo o naprostou shodu s GA-8I955X Royal, což pouze a jen potvrdilo předchozí testování s paměťovými moduly Corsair.