Samsung nastínil 1000vrstvé V-NAND, 1xnm DRAM i GDDR7 paměti

Společnost Samsung je předním výrobcem paměťových čipů a na své konferenci Tech Day 2022 poodhalila střípky z připravované budoucnosti. Co se týče pamětí V-NAND, ty jsou nyní ve své 8. generaci a poslední 512Gb varianta navýšila hustotu o dalších 42 %. Samsung dále ohlásil, že do konce letošního roku dostanou zákazníci k dispozici 1Tb TLC čipy. Připravovaná 9. generace se má objevit ve velkosériové výrobě v roce 2024 a pro rok 2030 se počítá s výrobou více než 1000vrstvých pamětí. Co asi neuslyšíme rádi, je to, že se plánuje větší přechod na typ QLC. To má ale i své výhody v nižších cenách.

 

 

Nezapomnělo se ani na DRAM paměti. Máme tu už 5. generaci pamětí 10nm-class (1b) DRAM a připravuje se i další vývoj, který by měl prolomit 10nm bariéru (např. díky materiálu High-K). Prozatím se můžeme těšit na 32Gb čipy DDR5 a velmi rychlé 8,5Gbps paměti LPDDR5X pro mobilní zařízení. Pokud jde o grafické karty, tak pro ně se připravuje typ GDDR7, který přinese mnohem vyšší frekvence. Zde se totiž počítá s 36Gbps čipy, což je o polovinu více než dnes u GDDR6X.

 

Zdroj: news.samsung.com