Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

Samsung nastínil 1000vrstvé V-NAND, 1xnm DRAM i GDDR7 paměti

, , aktualita
Samsung nastínil 1000vrstvé V-NAND, 1xnm DRAM i GDDR7 paměti
Samsung nedávno pořádal svou konferenci Tech Day 2022, na které pohovořil např. o budoucnosti různých typů pamětí. Víme, že jsou v plánu až 1000vrstvé paměti V-NAND, grafické karty se mohou těšit na GDDR7 čipy a nebude chybět ani další vývoj DRAM.
Samsung nastínil 1000vrstvé V-NAND, 1xnm DRAM i GDDR7 paměti
Společnost Samsung je předním výrobcem paměťových čipů a na své konferenci Tech Day 2022 poodhalila střípky z připravované budoucnosti. Co se týče pamětí V-NAND, ty jsou nyní ve své 8. generaci a poslední 512Gb varianta navýšila hustotu o dalších 42 %. Samsung dále ohlásil, že do konce letošního roku dostanou zákazníci k dispozici 1Tb TLC čipy. Připravovaná 9. generace se má objevit ve velkosériové výrobě v roce 2024 a pro rok 2030 se počítá s výrobou více než 1000vrstvých pamětí. Co asi neuslyšíme rádi, je to, že se plánuje větší přechod na typ QLC. To má ale i své výhody v nižších cenách.
 
Samsung Tech Day 2022
 
Nezapomnělo se ani na DRAM paměti. Máme tu už 5. generaci pamětí 10nm-class (1b) DRAM a připravuje se i další vývoj, který by měl prolomit 10nm bariéru (např. díky materiálu High-K). Prozatím se můžeme těšit na 32Gb čipy DDR5 a velmi rychlé 8,5Gbps paměti LPDDR5X pro mobilní zařízení. Pokud jde o grafické karty, tak pro ně se připravuje typ GDDR7, který přinese mnohem vyšší frekvence. Zde se totiž počítá s 36Gbps čipy, což je o polovinu více než dnes u GDDR6X.
 


reklama