Společnost Samsung Electronics se pochlubila s prvním prototypem Dynamic Random Access Memory (DRAM) modulu vyhovujícímu standardu GDDR3, který pracuje s napětím 1,5 V až do maximální rychlosti 1 066 MHz. Na trhu se pro použití v desktopech,...
reklama
Diskuze k článku: Samsung představuje první 512 MB paměťový modul typu DDR3
22.2.2005, Petr Hájek, aktualita
MB nebo Mb ? :-)
osobně řekl bych že spíš Mb...
osobně řekl bych že spíš Mb...
Odpovědět0 0
Noď otázka. JE totiž řeč o MODULu. Tím může být mysleno celý PCB s několika čipy => 512MB. Nebo jen jeden čip terý má 512Mb. Podle mě je ale jednoznačně jasné, že se modul skládá z více jednotek-čipů, takže 512MB :D
Odpovědět0 0
Mno to je fakt... mluví o modulu... nicméně si myslím, že samsung představil chip a ne modul.... Ale vařím z vody :-) Ono kdyby to byl MB chip... to by byl panečku nářez.. :-)
Odpovědět0 0
Tak o tom žádná :D
Odpovědět0 0
Uz sa podarilo vzrobyt aj chip, ktory ma cca 70MB SRAM. DRAM pametova bunka ma iba 1T. Takze si myslim, ze je mozne vyrobyt 512MB DRAM na jednom chipe, ale nemyslim ze tych 512 MB da Samsung na jeden chip. Uz len koli chladeniu a koli chybovosti vo vyrobe.
Odpovědět0 0
Celkem by me zajimalo jaky je rocni obrat nebo zisk Samsungu, srovnani s jinou znamou firmou (napriklad s Intelem) by mohlo byt zajimave, clovek by si mohl udelat predstavu o velikosti takove spolecnosti.
Odpovědět0 0
Zajímá Vás tato diskuze? Začněte ji sledovat a když přibude nový komentář, pošleme Vám e-mail.
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.
reklama
reklama
Z dalších serverů
reklama
reklama