Samsung přichází s 10nm-class 128Gb TLC NAND čipy
12.4.2013, Milan Šurkala, aktualita
Společnost Samsung začala s masovou produkcí 128Gb TLC NAND čipů využívající 10nm-class technologii. TLC znamená triple level cell, tedy 3 bity na jednu paměťovou buňku. 10nm-class výrobní proces pak znamená, že „začíná na jedničku“, tedy...
Společnost Samsung začala s masovou produkcí 128Gb TLC NAND čipů využívající 10nm-class technologii. TLC znamená triple level cell, tedy 3 bity na jednu paměťovou buňku. 10nm-class výrobní proces pak znamená, že „začíná na jedničku“, tedy cokoli mezi 10 a 19 nm. Díky využití 128Gb NAND flash pamětí může Samsung zvýšit nabídku 128GB paměťových karet i SSD disků s kapacitou přes 500 GB. To může urychlit přechod od klasických pevných disků k diskům SSD.
10nm-class 64Gb MLC (2 bity na buňku) NAND flash čipy se začaly masově vyrábět v listopadu minulého roku. Nové paměti také navazují na 20nm-class 64Gb TLC NAND modely, které byly představeny v roce 2010 a využívaly už technologii TLC. Oproti nim je ale výtěžnost nových 128Gb TLC pamětí více než dvojnásobná.
Zdroj: www.xbitlabs.com
10nm-class 64Gb MLC (2 bity na buňku) NAND flash čipy se začaly masově vyrábět v listopadu minulého roku. Nové paměti také navazují na 20nm-class 64Gb TLC NAND modely, které byly představeny v roce 2010 a využívaly už technologii TLC. Oproti nim je ale výtěžnost nových 128Gb TLC pamětí více než dvojnásobná.
Zdroj: www.xbitlabs.com
