Samsung přináší nové DDR3 s pokročilejší výrobní technologií
10.6.2011, Jan Vítek, aktualita

Společnost SAmsung Electronics plánuje začít v USA nabízet nové paměťi pro běžné spotřebitele, které využívají čipy DDR3 DRAM vyrobené 30nm technologií. Ty poprvé vyrobil již na začátku minulého roku v podobě 256MB čipů. Nová řada produktů...
Společnost SAmsung Electronics plánuje začít v USA nabízet nové paměťi pro běžné spotřebitele, které využívají čipy DDR3 DRAM vyrobené 30nm technologií. Ty poprvé vyrobil již na začátku minulého roku v podobě 256MB čipů. Nová řada produktů Samsung má přitom obsahovat moduly typu UDIMM s velmi nízkým profilem (Very Low Profile - VLP) pro desktopy a také moduly SO-DIMM pro notebooky.

Nové moduly nabídnou kapacitu 2 GB i 4 GB a budou k dispozici také ve 4GB a 8GB dvoukanálových kitech. Pracovat budou na 1600 MHz a při této rychlosti nebudou vyžadovat žádný pasivní chladič, respektive heatspreader.
Samsung se bude snažit zákazníky oslovit také cenou, která se bude pohybovat od 30 do 110 USD.
Zdroj: TCM

Nové moduly nabídnou kapacitu 2 GB i 4 GB a budou k dispozici také ve 4GB a 8GB dvoukanálových kitech. Pracovat budou na 1600 MHz a při této rychlosti nebudou vyžadovat žádný pasivní chladič, respektive heatspreader.
Samsung se bude snažit zákazníky oslovit také cenou, která se bude pohybovat od 30 do 110 USD.
Zdroj: TCM