reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung prý tento týden odstartuje výrobu 3nm procesem: premiéra GAAFET

27.6.2022, Jan Vítek, aktualita
Samsung prý tento týden odstartuje výrobu 3nm procesem: premiéra GAAFET
Nový 3nm proces firmy Samsung je ostře sledovaný, neboť má být již tento týden uveden do běžné praxe, čili má být odstartována masová produkce. Jde přitom o první proces, v němž se využije nový typ tranzistorů.
Tranzistory GAAFET, jež Samsung v případě svého provedení označuje za MBCFET, představují další velký krok ve vývoji technologií používaných pro výrobu čipů. Přicházejí, aby v nejmodernějších procesech vystřídaly dnes už běžné FinFET, které poprvé použil před deseti lety Intel ve svém 22nm procesu. Tehdy ještě FinFET nazýval jako tranzistory 3D Tri-Gate a poprvé je nasadil v praxi v generaci procesorů Ivy Bridge. 
 
 
Tentokrát je ale první Samsung, neboť firmy Intel a TSMC chtějí přejít na nové tranzistory až později, čili Samsung může získat významnou výhodu. Samozřejmě však bude záležet na tom, jak se Samsungu bude při výrobě dařit, což se týká především výtěžnosti a zrovna v tomto ohledu to prý donedávna nebylo nic moc. 
 
 
 
Dle Samsungu mají tranzistory MBCFET obecně v moci zmenšit plochu stejně složitého čipu o 45 procent, dosáhnout o 30 procent vyššího výkonu, či snížit spotřebu o polovinu. To jsou ale pochopitelně jen čísla týkající se modelového čipu mixujícího SRAM, logiku i analogové obvody a v praxi může být dopad zcela jiný.
 
Jde tu ale i o to, že dle nezaručených zpráv (Samsung se tím pochopitelně chlubit nebude) byla ještě loni v říjnu výtěžnost 3nm procesu velice slabá. Žádná čísla se přitom neobjevila, jen to, že mělo jít o podobnou úroveň jako v případě 4nm procesu, kde se dle wccftech podvádělo a uváděna byly záměrně lepší čísla, než jaká byla skutečnost. Odhady přitom mluví o pouze 10 až 20% výtěžnosti, což by bylo skutečně velice slabé a pokud by měl Samsung tento týden skutečně spustit na 3nm procesu masovou produkci, musel by učinit v posledním půlroce obrovský pokrok. 
 
Jako obvykle uvidíme, a to brzy, neboť spuštěním 3nm procesu s MBCFET se Samsung případně jistě velice rád sám pochlubí. Až čas také ukáže, zda to bylo správné rozhodnutí, ostatně TSMC plánující udělat ten samý krok až v případě 2nm procesu tvrdí, že mnozí zákazníci mohou být spíše obezřetní a nebude se jim chtít hned skočit po MBCFET. Tato slova ale můžeme vidět také jako snahu trošku bagatelizovat úspěch konkurenta.  


reklama