Samsung ukázal SSD se Z-NAND, odpověď na 3D XPoint
21.3.2017, Jan Vítek, aktualita
Samsung je aktuálně největší světový výrobce pamětí NAND Flash a také má největší podíl mezi výrobci výsledných SSD. Není tak divu, že právě tato firma chce posunout technologii NAND Flash dále, a to až do oblasti, kde figurují paměti jako 3D XPoint.
Zatímco Intel už představil první hotový produkt s paměťmi 3D XPoint, a to SSD DC P4800X, na odpověď Samsungu budeme ještě nějakou dobu čekat. A zatímco paměti 3D XPoint vyvinuté Intelem a Micronem nemají s NAND Flash nic společného, paměti Z-NAND už dle svého názvu z nich přímo vycházejí. Samsung přitom stejně jako Intel udává, že výsledná SSD jsou schopna vytvořit můstek mezi DRAM a SSD, což jednoduše znamená, že firmy se velice snaží o to, abychom si jejich nové paměti automaticky neškatulkovali jen mezi další paměti pro SSD.
Samsung svá Z-SSD s paměťmi Z-NAND už ukázal na Flash Memory Summit, ale na podrobnosti o nich byl skoupý. Prezentoval je jako SSD pro rozhraní PCIe s podporou NVMe s "unikátními" paměťmi a kontrolerem, která budou ve výsledku mnohem výkonnější než dnešní modely. Dnes už se díky prezentaci na Cloud Expo Europe dozvíme i nějaké podrobnosti, jako třeba to, že oproti PM963 mají Z-SSD nabídnout 1,6násobně rychlejší sekvenční čtení, což by dávalo 3,2 GB/s a pak také výrazně nižší latence, a to o cca 70 procent. Náhodné čtení a zápis 4K pak má činit 750.000 a 160.000 IOPS.
Samsung však stále neprozradil, v čem mají být Z-NAND tak unikátní, takže je tu prostor na spekulace analytiků, kteří říkají, že Samsung možná využil jen své V-NAND (3D paměti NAND Flash) v režimu SLC, čili se zápisem jen jednoho bitu do buňky a vedle toho vyvinul speciální kontroler. Na to víceméně ukazuje udávaný výkon, ale i tak jde pouze o dohady. Pokud by šlo skutečně o V-NAND v SLC režimu, pak bychom mohli očekávat také vyšší výdrž, čili vyšší počet mazacích a zapisovacích cyklů než v případě MLC a TLC verzí.
Dříve se také uvádělo, že si Samsung chystá 1TB, 2TB a 4TB verze Z-SSD, ovšem ze štítku se nakonec dozvíme pouze o jedné s kapacitou 800 GB. Tady je otázka, zda byly původní informace prostě mylné, nebo z přípravy modelů s vyšší kapacitou prostě sešlo, a to třeba z důvodu nedostatku pamětí NAND Flash na trhu kvůli transformaci celého tohoto průmyslu na výrobu 3D pamětí.
Zdroj: Anandtech
Samsung svá Z-SSD s paměťmi Z-NAND už ukázal na Flash Memory Summit, ale na podrobnosti o nich byl skoupý. Prezentoval je jako SSD pro rozhraní PCIe s podporou NVMe s "unikátními" paměťmi a kontrolerem, která budou ve výsledku mnohem výkonnější než dnešní modely. Dnes už se díky prezentaci na Cloud Expo Europe dozvíme i nějaké podrobnosti, jako třeba to, že oproti PM963 mají Z-SSD nabídnout 1,6násobně rychlejší sekvenční čtení, což by dávalo 3,2 GB/s a pak také výrazně nižší latence, a to o cca 70 procent. Náhodné čtení a zápis 4K pak má činit 750.000 a 160.000 IOPS.
Samsung však stále neprozradil, v čem mají být Z-NAND tak unikátní, takže je tu prostor na spekulace analytiků, kteří říkají, že Samsung možná využil jen své V-NAND (3D paměti NAND Flash) v režimu SLC, čili se zápisem jen jednoho bitu do buňky a vedle toho vyvinul speciální kontroler. Na to víceméně ukazuje udávaný výkon, ale i tak jde pouze o dohady. Pokud by šlo skutečně o V-NAND v SLC režimu, pak bychom mohli očekávat také vyšší výdrž, čili vyšší počet mazacích a zapisovacích cyklů než v případě MLC a TLC verzí.
Dříve se také uvádělo, že si Samsung chystá 1TB, 2TB a 4TB verze Z-SSD, ovšem ze štítku se nakonec dozvíme pouze o jedné s kapacitou 800 GB. Tady je otázka, zda byly původní informace prostě mylné, nebo z přípravy modelů s vyšší kapacitou prostě sešlo, a to třeba z důvodu nedostatku pamětí NAND Flash na trhu kvůli transformaci celého tohoto průmyslu na výrobu 3D pamětí.
Zdroj: Anandtech
