Samsung uvádí 1Gbit Mobile DRAM
27.12.2006, Milan Šurkala, aktualita
Společnost Samsung uvedla první Mobile DRAM paměť s kapacitou 1Gbit, která nepoužívá vrstvení. To je umožněno díky 80nm výrobní technologii, která čip dále zmenšuje a je tedy o 20% užší než 1Gbit čip vytvořený navrstvením dvou 512Mbit čipů....
Společnost Samsung uvedla první Mobile DRAM paměť s kapacitou 1Gbit, která nepoužívá vrstvení. To je umožněno díky 80nm výrobní technologii, která čip dále zmenšuje a je tedy o 20% užší než 1Gbit čip vytvořený navrstvením dvou 512Mbit čipů.
Mobile DRAM paměť najde široké využití v mobilních zařízeních jako jsou multimediální přehrávače, digitální kamery a jim podobné. Navíc díky optimalizaci technologie self-refresh cyklů se snížila spotřeba pamětí o 30%, což uživatelé mobilních zařízení jistě uvítají. Menší rozměry by měly umožnit výrobu i 1,5Gbit a 2Gbit verzí, o které by měl prý během roku 2007 prudce vzrůst zájem.
Zdroj: www.samsung.com
Mobile DRAM paměť najde široké využití v mobilních zařízeních jako jsou multimediální přehrávače, digitální kamery a jim podobné. Navíc díky optimalizaci technologie self-refresh cyklů se snížila spotřeba pamětí o 30%, což uživatelé mobilních zařízení jistě uvítají. Menší rozměry by měly umožnit výrobu i 1,5Gbit a 2Gbit verzí, o které by měl prý během roku 2007 prudce vzrůst zájem.
Zdroj: www.samsung.com
