Samsung uvádí "3D package" pamětí
14.4.2006, Milan Šurkala, aktualita
Samsung vyvinul novou metodu, jak umístit na co nejmenší ploše co nejvíce paměťových buněk. Tím je trojdimenzionální zapouzdření, jinak řečeno se na sebe položí několik tenkých vrstev paměti a ty se následně mezi sebou propojí. Samsung to...
Samsung vyvinul novou metodu, jak umístit na co nejmenší ploše co nejvíce paměťových buněk. Tím je trojdimenzionální zapouzdření, jinak řečeno se na sebe položí několik tenkých vrstev paměti a ty se následně mezi sebou propojí. Samsung to nazývá "Wafer-Level Stack Process" (neboli WSP).
Nynější spojení s PCB vyžaduje jistý prostor mezi vzájemnými spoji, aby se zabránilo rušení, to na druhou stranu znemožňuje dosáhnout vysoké hustoty paměti. Spojení jednotlivých vrstev je řešeno vypálením dírek pomocí laseru skrze vrstvami a jejich následným vyplněním vodivým materiálem.
Samsung má zatím 16Gbit NAND čip, který se skládá z osmi 2Gbit NAND čipů na sobě. Výška přitom nečiní ani půl milimetru. Čipy mají mít o 15% menší plochu a rovněž být o 30% užší. WSP snižuje délku vodičů, díky nižšímu odporu pak přináší asi o 30% vyšší výkon. Časem se má začít používat i u DRAM pamětí, zde to ale jejich poměrně vysokému tepelnému vyzařování nebude nejlepší cesta.
Zdroj: www.dailytech.com
Nynější spojení s PCB vyžaduje jistý prostor mezi vzájemnými spoji, aby se zabránilo rušení, to na druhou stranu znemožňuje dosáhnout vysoké hustoty paměti. Spojení jednotlivých vrstev je řešeno vypálením dírek pomocí laseru skrze vrstvami a jejich následným vyplněním vodivým materiálem.
Samsung má zatím 16Gbit NAND čip, který se skládá z osmi 2Gbit NAND čipů na sobě. Výška přitom nečiní ani půl milimetru. Čipy mají mít o 15% menší plochu a rovněž být o 30% užší. WSP snižuje délku vodičů, díky nižšímu odporu pak přináší asi o 30% vyšší výkon. Časem se má začít používat i u DRAM pamětí, zde to ale jejich poměrně vysokému tepelnému vyzařování nebude nejlepší cesta.
Zdroj: www.dailytech.com
