Samsung uvádí 512GB čipy eUFS 3.1 se zápisem 1200 MB/s

Společnost Samsung dnes představila nové paměťové čipy eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) určené pro smartphony, tablety nebo jiná mobilní zařízení. Díky malým rozměrům se vejdou do tenkých zařízení, slibují však i solidní kapacitu a vysoké přenosové rychlosti. Novinky budou k dispozici v kapacitách 128 GB, 256 GB a 512 GB jako u předchůdce, o větších se zatím nemluvilo. Nová generace nicméně opět zapracovala na přenosových rychlostech.

 

 

Sekvenční zápis nicméně zůstal na hodnotě 2100 MB/s, která je shodná s eUFS 3.0 modely z února 2019. Toto číslo je však už tak hodně vysoké, takže nebylo příliš potřebné ho zásadně zvyšovat. To ale platilo o sekvenčním zápisu, který dosahoval jen 410 MB/s a nyní je téměř 3krát vyšší s hodnotou 1200 MB/s. Tím překonává běžné SATA SSD disky (okolo 550 MB/s) a je výrazně rychlejší než microSD karty, které v telefonech obvykle nabídnou maximálně okolo 90 MB/s.

 

Samsung zapracoval také na náhodných přístupech. Zde to bylo naopak čtení, kde se nejvíce zvýšil výkon, a to o zhruba 60 % ze 63 na 100 tisíc IOPS. V případě náhodného zápisu se výkon zvýšil jen o 3 % ze 68 na 70 tisíc IOPS. Předpokládá se, že se nové paměti objeví v high-endových telefonech už v průběhu tohoto roku.

 

Zdroj: zdnet.com, news.samsung.com