Samsung už vyrábí 3bitové 3D V-NAND Flash
9.10.2014, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung ohlásila, že odstartovala produkci prvních 3bitových pamětí 3D V-NAND Flash, které by se tak mohly již brzo objevit v nových modelech SSD. Jaké vlastnosti tedy tyto paměti nabídnou?
Od společnosti Samsung tak asi zanedlohou můžeme očekávat představení zbrusu nové řady SSD, i když je možné i to, že se nové paměti prostě jen použijí v některé ze stávajících řad. Nicméně jde o vůbec první masově vyráběné 3bitové paměti MLC 3D V-NAND (Vertical NAND). Určeny jsou dle tiskové zprávy právě pro SSD.
Samsung doufá, že jeho nové paměti pomohou k rychlejšímu přechodu uživatelů z klasických pevných disků na SSD, což by v překladu mělo znamenat, že by SSD díky nim měly být přinejmenším levnější. Jedná se o již druhou generaci pamětí V-NAND, která využívá celkem 32 vrstev paměťových buněk, které jsou vertikálně propojeny, díky čemuž může jeden výsledný čip nabídnout kapacitu 128 Gb (16 GB).
Nové paměti jsou tedy především o efektivitě. Kapacitu pomůže navýšit nejen vrstvení paměťových buněk na sebe, ale také to, že každá je schopna uložit 3 bity. Oproti klasickým 3bitovým pamětem NAND Flash pak 3bitové V-NAND dle informací Samsungu umožní, aby se z jednoho waferu získaly paměti s celkově více než dvojnásobnou kapacitou.
První generace V-NAND přitom využívala 24 vrstev a byla představena v srpnu minulého roku. O 32vrstevné druhé generaci jsme se mohli dozvědět letos v květnu, ale na ohlášení případných koncových produktů si musíme ještě počkat.
Zdroj: techPowerUp
Samsung doufá, že jeho nové paměti pomohou k rychlejšímu přechodu uživatelů z klasických pevných disků na SSD, což by v překladu mělo znamenat, že by SSD díky nim měly být přinejmenším levnější. Jedná se o již druhou generaci pamětí V-NAND, která využívá celkem 32 vrstev paměťových buněk, které jsou vertikálně propojeny, díky čemuž může jeden výsledný čip nabídnout kapacitu 128 Gb (16 GB).
Nové paměti jsou tedy především o efektivitě. Kapacitu pomůže navýšit nejen vrstvení paměťových buněk na sebe, ale také to, že každá je schopna uložit 3 bity. Oproti klasickým 3bitovým pamětem NAND Flash pak 3bitové V-NAND dle informací Samsungu umožní, aby se z jednoho waferu získaly paměti s celkově více než dvojnásobnou kapacitou.
První generace V-NAND přitom využívala 24 vrstev a byla představena v srpnu minulého roku. O 32vrstevné druhé generaci jsme se mohli dozvědět letos v květnu, ale na ohlášení případných koncových produktů si musíme ještě počkat.
Zdroj: techPowerUp
