Samsung vyvíjí 32Gb DDR5 čipy pro 1TB paměťové moduly

Vývoj operačních pamětí s uvedením DDR5 modulů pochopitelně neutichá a společnost Samsung oznámila vývoj 32Gb čipů, které by ve výsledku měly umožnit vznik 1TB paměťových modulů. Pochopitelně se nejedná o moduly do našich spotřebitelských PC, ale o moduly pro serverové nasazení. Kapacita jednoho čipu by se měla posunout ze 16 Gb a již vyvíjených 24 Gb (teoreticky pro 768GB moduly) až na 32 Gb. Ty se dále vrství na sebe a zatímco u DDR4 měly tyto 3D čipy 4 vrstvy s celkovou výškou 1,2 mm, nově to bude 8 vrstev, přičemž se výška dokonce ještě sníží na pouhých 1,0 mm.

 

 

8 vrstev po 32 Gb dává 32 GB na jeden vrstvený čip, a když jich takto umístíte na jeden modul 32, dostanete se na 1TB kapacitu. Využití by tyto moduly mohly najít např. v serverech s novými serverovými procesory AMD EPYC Genoa na architektuře Zen 4, jejichž až 96 jader a 192 vláken bude moci pracovat s opravdu velkým množstvím dat najednou, a vysokokapacitní moduly zde rozhodně přijdou vhod. Totéž se může týkat platformy Intel Sapphire Rapids. Tyto paměti na sebe ale ještě nechají nějakou dobu čekat. Hovoří se o tom, že 32Gb čipy DDR5 by se mohly představit v první polovině roku 2023, nicméně první moduly s nimi by měly být na trhu k dispozici až na přelomu let 2023 a 2024.

 

 

Z dalších zajímavostí tu máme např. to, že Samsung by chtěl v roce 2025 dostat DDR5 paměti do takového stavu, že na výchozím napětí 1,1 V by měly běžet moduly DDR5-7200 (dnes to platí o DDR5-4800 a výše taktované moduly využívají zpravidla mnohem vyšších napětí až okolo 1,4 V). Tehdy pak můžeme očekávat moduly s XMP profily až někde kolem hranice DDR5-10000, které jsou dnes jen předmětem extrémního overclockingu.

 

Zdroj: tomshardware.com, wccftech.com