Samsung vyvinul 512GB moduly DDR5 s HKMG čipy

Nové paměti firmy Samsung jsou pochopitelně určeny pro budoucí serverové platformy, což budou konkrétně Sapphire Rapids od Intelu a generace AMD Genoa (Zen 4). Uživatelé PC by jistě 512GB moduly také s nadšením uvítali, ovšem pro ně budou pochopitelně určeny nižší kapacity a ne na modulech Registered DIMM (RDIMM), což je právě ten na následujícím snímku. 

 

 

Nový 512GB DDR5 RDIMM firmy Samsung využívá celkem 32 paměťových pouzder s kapacitou 16 GB, které jsou samy tvořeny osmi 16Gb čipy. Jde tak o 8-Hi pouzdra, v nichž jsou jednotlivé navrstvené čipy propojeny vertikálními spoji TSV (Through-Silicon Via), což má své výhody s ohledem na spotřebu i kvalitu signálu, který tak vede v podstatě nejkratší možnou cestou. Samsung ovšem (zatím) nikde neuvádí, jakou rychlost dokáží jeho nové moduly nabídnout v rámci DDR5 ratingu. 

 

Nejnovější 16Gb čipy DDR5 firmy Samsung také nahradily klasické izolační materiály pomocí High-K dielektrik, která se už delší dobu používají v logických čipech pro menší úniky proudu. Samsung zvolil HKMG (High-K Metal Gate) při výrobě pamětí už dříve, ale to šlo v roce 2018 o paměti GDDR6 pro grafické karty a nyní se mají tato dielektrika poprvé dostat do jeho pamětí typu DDR DRAM. 

 

Firma tak hlásí, že díky sníženému provoznímu napětí, HKMG a dalším vylepšením jsou nové paměti oproti svým předchůdcům o 13 procent úspornější. Díky kapacitě 512 GB na modul pak dokáží serverovým CPU s osmikanálovými paměťovými kontrolery nabídnout až 8 TB kapacity na patici, což je dvojnásobek oproti dnešním možnostem. 

 

Samsung už začal svým zákazníkům dodávat vzorky těchto pamětí a očekává, že budou připraveny pro nástup nových serverových platforem. Ostatně mezi dané zákazníky patří i Intel, jehož inženýři na vývoji nových pamětí se Samsungem spolupracovali. 

 

Zdroj: Tom's Hardware