Samsung začal masově vyrábět DDR5 na 14nm EUV procesu

Technologii EUVL (či jen EUV), neboli extrémní ultrafialovou litografii, máme obvykle spojenou s těmi nejpokročilejšími výrobními procesy od 7nm níž. Ovšem v tomto případě jde o proces využitý pro výrobu pamětí a ne logických čipů, a sice 14nm EUV, na němž Samsung postavil výrobu svých nejnovějších pamětí typu DDR5. 

 

 

Samsung uvádí, že jde o pětivrstvý EUVL proces, díky němuž může dosáhnout nejvyšší paměťové hustoty na poměry pamětí DRAM a to také znamená zvýšení celkové produktivity o cca 20 procent. Už dříve přitom Samsung využil EUVL pro výrobu pamětí, ale na méně vrstvách, čili nyní jejich počet zvýšil na pět. Můžeme tak usuzovat, ačkoliv se to ve zprávě nepíše, že o to méně vrstev je zpracováno pomocí DUV a multipatterningu, což by mělo znamenat celkově rychlejší zpracování waferů. 

 

Nicméně dále v těle zprávy také mluví o tom, že EUV zde také umožnilo další miniaturizaci paměťových čipů na 14 nm, což dříve nebylo možné s využitím ArF procesů. Srovnává se tu tak klasická DUV litografie na 193 nm s argon-fluoridovými lasery, která by dle tohoto vyjádření už na výrobu takových pamětí nestačila.

 

Na novém procesu Samsungu se budou konkrétně vyrábět paměti DDR5 s přenosovou rychlostí 7,2 Gb/s, přičemž úvodní paměti DDR5 začínají spíše na 4,8 Gb/s a oficiálně mají škálovat až na 6,4 Gb/s. Už dávno je ale jasné, že se objeví, a to asi pozoruhodně rychle, i mnohem rychlejší paměti.

 

Dle Samsungu ale budou 14nm paměti DDR5 určeny zvláště pro výrobu modulů pro datová centra, superpočítače a obecně servery. Nakonec jsme se dozvěděli, že se plánuje také zvýšení kapacity 14nm čipů DRAM na 24 Gb, ale už se nedozvíme, jakou kapacitu mají dnešní verze. Nicméně dnes je v případě moderních pamětí obvyklá kapacita 16 Gb, čili s 24Gb čipy si Samsung může dovolit vyrábět moduly s kapacitou až 768 GB.