Samsung začal vyrábět 3D Vertical NAND Flash ve velkém
6.8.2013, Jan Vítek, aktualita
Samsung Electronics oznámil, že začal s masovou produkcí svých prvních pamětí typu 3D Vertical NAND Flash, které můžeme pro zkrácení označit také jako 3D V-NAND. Jedná se o paměti, které řeší problém se škálováním tím, že na sebe vrství...
Samsung Electronics oznámil, že začal s masovou produkcí svých prvních pamětí typu 3D Vertical NAND Flash, které můžeme pro zkrácení označit také jako 3D V-NAND. Jedná se o paměti, které řeší problém se škálováním tím, že na sebe vrství několik vrstev paměťových buněk. K tomu Samsung využívá technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) a vertikální propojování jednotlivých vrstev, díky čemuž jeden 3D V-NAND čip vyrobený 20nm technologií nabídne kapacitu 128 Gb.
Firma Samsung tak oprášila svou starší technologii CTF, kterou vyvinula již v roce 2006, aby zabránila vzájemnému rušení buněk, což je u výrobních procesů pod 20 nm stále větší problém. V nové architektuře to Samsung řeší tak, že paměti dokáží elektrický náboj dočasně zadržet v nevodivé vrstvě složené z nitridu křemíku, namísto aby byly využívány tzv. floating gates jako u klasických pamětí NAND Flash. Tím se zamezí rušení
Tato CTF vrstva má protkat celý čip, čímž mají nové paměti poskytnout výrazně vyšší výkon a spolehlivost, což má oproti 1Xnm klasickým pamětem konkrétně znamenat dvojnásobný výkon a 2 - 10x vyšší spolehlivost. Samsung tak dokáže na sebe naklást až 24 vrstev paměťových buněk pomocí speciální technologie, která prorazí otvory z nejvyšší vrstvy až na dno. V budoucnu tak nebude muset zvětšovat půdorys samotných čipů, což je dle něj u nových výrobních procesů extrémně složité, a namísto toho bude využívat více vrstev, což má přinést i 1Tb čipy.
Zdroj: TZ Samsung
Firma Samsung tak oprášila svou starší technologii CTF, kterou vyvinula již v roce 2006, aby zabránila vzájemnému rušení buněk, což je u výrobních procesů pod 20 nm stále větší problém. V nové architektuře to Samsung řeší tak, že paměti dokáží elektrický náboj dočasně zadržet v nevodivé vrstvě složené z nitridu křemíku, namísto aby byly využívány tzv. floating gates jako u klasických pamětí NAND Flash. Tím se zamezí rušení
Tato CTF vrstva má protkat celý čip, čímž mají nové paměti poskytnout výrazně vyšší výkon a spolehlivost, což má oproti 1Xnm klasickým pamětem konkrétně znamenat dvojnásobný výkon a 2 - 10x vyšší spolehlivost. Samsung tak dokáže na sebe naklást až 24 vrstev paměťových buněk pomocí speciální technologie, která prorazí otvory z nejvyšší vrstvy až na dno. V budoucnu tak nebude muset zvětšovat půdorys samotných čipů, což je dle něj u nových výrobních procesů extrémně složité, a namísto toho bude využívat více vrstev, což má přinést i 1Tb čipy.
Zdroj: TZ Samsung
