Samsung začíná s výrobou nových "3bitových" MLC NAND Flash
13.10.2010, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung oznámila, že dnes začala s výrobou nových pamětí MLC NAND Flash, které dokáží uložit 3 bity v jedné buňce, čímž dokáží zvýšit svou kapacitu oproti klasickým MLC s 2 bity na buňku, či dokonce SLC s 1 bitem. Nové čipy jsou...
Společnost Samsung oznámila, že dnes začala s výrobou nových pamětí MLC NAND Flash, které dokáží uložit 3 bity v jedné buňce, čímž dokáží zvýšit svou kapacitu oproti klasickým MLC s 2 bity na buňku, či dokonce SLC s 1 bitem. Nové čipy jsou vyráběny 2Xnm technologií (20 - 29 nm) a dosahují kapacity 64 Gb (8 GB).
Seijin Kim, viceprezident skupiny Flash Memory Planning/Enabling v Samsung Electronics, se pochlubil, že zahájení výroby 2Xnm procesem přichází necelý rok poté, co minulý listopad jeho firma představila 3Xnm paměti NAND Flash s 3 bity na buňku a kapacitou 32 Gb.
Nové paměťové čipy jsou určeny pro vysokokapacitní flash disky, paměťové karty SD a nepřekvapí jejich přítomnost v moderních chytrých telefonech a SSD.
Zdroj: TCM
Seijin Kim, viceprezident skupiny Flash Memory Planning/Enabling v Samsung Electronics, se pochlubil, že zahájení výroby 2Xnm procesem přichází necelý rok poté, co minulý listopad jeho firma představila 3Xnm paměti NAND Flash s 3 bity na buňku a kapacitou 32 Gb.
Nové paměťové čipy jsou určeny pro vysokokapacitní flash disky, paměťové karty SD a nepřekvapí jejich přítomnost v moderních chytrých telefonech a SSD.
Zdroj: TCM
