Samsung zvyšuje kapacity pamětí DRAM
24.4.2007, Jan Vítek, aktualita

Vrstvení se stalo populárním slovem u výrobců polovodičů. Nedávno IBM oznámilo vývoj nových 3D procesorů s vrstvenými obvody a nyní se přihlašuje Samsung s dalším zlepšením výroby DRAM čipů a potažmo modulů, které by již brzy mohly dosáhnout...
Vrstvení se stalo populárním slovem u výrobců polovodičů. Nedávno IBM oznámilo vývoj nových 3D procesorů s vrstvenými obvody a nyní se přihlašuje Samsung s dalším zlepšením výroby DRAM čipů a potažmo modulů, které by již brzy mohly dosáhnout kapacity 4 GB. K tomu hodlá využít technologii Through Silicon Via (TSV), podle názvu tedy minimálně velmi podobnou k té od IBM.

Samsung se rozhodl navrstvit čtyři 512Mb DDR2 čipy na sebe a vyrobit tak jeden 2Gb DRAM čip (označuje se jako Wafer-level-processed Stacked Package - WSP), což umožní s použitím šestnácti takových čipů stvořit 4GB DIMM paměti DDR2. Through Silicon Vias nejsou nic jiného, než miniaturní otvory vyplněné mědí, které propojují části paměťového čipu. Firma dále věří, že se jí podaří využít TSV technologii i pro výrobu pamětí DDR3 s vyššími přenosovými rychlostmi jako 1,6 Gb/s a pomůže jí dosáhnout i úspor ve spotřebě energie. Dostupnost nových pamětí zatím oznámena nebyla.
Zdroj: TG Daily

Samsung se rozhodl navrstvit čtyři 512Mb DDR2 čipy na sebe a vyrobit tak jeden 2Gb DRAM čip (označuje se jako Wafer-level-processed Stacked Package - WSP), což umožní s použitím šestnácti takových čipů stvořit 4GB DIMM paměti DDR2. Through Silicon Vias nejsou nic jiného, než miniaturní otvory vyplněné mědí, které propojují části paměťového čipu. Firma dále věří, že se jí podaří využít TSV technologii i pro výrobu pamětí DDR3 s vyššími přenosovými rychlostmi jako 1,6 Gb/s a pomůže jí dosáhnout i úspor ve spotřebě energie. Dostupnost nových pamětí zatím oznámena nebyla.
Zdroj: TG Daily